期间， “IFWS 2021：碳化硅功率器件与封装应用论坛“成功召开。会议由芜湖启迪半导体有限公司、中国电子科技集团公司第四十八研究所、北京北方华创微电子装备有限公司、德国爱思强股份有限公司协办支持。
▲德国爱思强股份有限公司中国区副总经理方子文
▲德国爱思强股份有限公司中国区副总经理方子文
会上，德国爱思强股份有限公司中国区副总经理方子文分享了“促进宽禁带半导体产业化的关键外延技术”主题报告。
他表示，在全球数字化和汽车电气化大趋势背景下，宽禁带半导体材料以其性能优势催生众多市场应用场景，在中短期内被越来越多的消费产品采用。基于氮化镓和碳化硅为代表的宽禁带半导体材料设计的功率器件，因减小了尺寸、重量和成本，同时扩大了里程范围，在越来越多的汽车应用，而GaN也正加速渗透进消费市场。
他表示，在全球数字化和汽车电气化大趋势背景下，宽禁带半导体材料以其性能优势催生众多市场应用场景，在中短期内被越来越多的消费产品采用。基于氮化镓和碳化硅为代表的宽禁带半导体材料设计的功率器件，因减小了尺寸、重量和成本，同时扩大了里程范围，在越来越多的汽车应用，而GaN也正加速渗透进消费市场。
为了在第三代半导体在消费市场取得进一步成功，实现器件的优良性能，外延层的制备至关重要，不仅性能，而且成本和大批量生产能力都将成为关键性因素。方子文博士分析了宽禁带半导体外延批量生产技术的最新进展，包括用于SiC外延的AIX G5 WWC和用于GaN外延的AIX G5+ C批量生产解决方案。
AIX G5 WW C MOCVD使用基于经过量产客户验证的AIXTRON行星式反应器平台，并导入全自动化卡匣式（C2C）晶圆传输系统，实现了业内单腔最大片数(8 x 6英寸)及最大产能。它同时提供了灵活的6英寸和4英寸配置，旨在将生产成本压缩到最低，同时保持优良的产品质量。另外，2022年爱思强也将会在市场推出200mm（8英寸）设备。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解！）
AIX G5 WW C MOCVD使用基于经过量产客户验证的AIXTRON行星式反应器平台，并导入全自动化卡匣式（C2C）晶圆传输系统，实现了业内单腔最大片数(8 x 6英寸)及最大产能。它同时提供了灵活的6英寸和4英寸配置，旨在将生产成本压缩到最低，同时保持优良的产品质量。另外，2022年爱思强也将会在市场推出200mm（8英寸）设备。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解！）
