美国电力首席执行官Victor VELIADIS教授:碳化硅大规模商业化:现状与障碍

日期:2021-12-10 来源:半导体产业网阅读:482
核心提示:美国电力首席执行官、北卡罗莱纳州立大学教授Victor VELIADIS在线分享了“碳化硅大规模商业化:现状与障碍”主题报告。
近日,由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)联合主办,北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办的第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛(IFWS & SSLCHINA 2021)在深圳会展中心举行。
 
期间, “IFWS  2021:碳化硅功率器件与封装应用论坛“成功召开。会议由芜湖启迪半导体有限公司 、中国电子科技集团公司第四十八研究所、北京北方华创微电子装备有限公司、德国爱思强股份有限公司协办支持。会上,美国电力首席执行官、北卡罗莱纳州立大学教授Victor VELIADIS在线分享了“碳化硅大规模商业化:现状与障碍”主题报告。

硅 (Si) 功率器件因其低成本的批量生产、出色的原材料质量、易于制造和久经考验的可靠性而在电力电子产品中占据主导地位。尽管 Si 功率器件继续取得重大进展,但它们正接近其工作极限,主要是因为它们的带隙和临界电场相对较低,导致高传导和开关损耗,以及较差的高温性能。
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在本次演讲中,Victor VELIADIS教授概述碳化硅 (SiC) 的有利材料特性,这些特性可用于实现外形尺寸和冷却要求更低的高效功率器件。展示高影响力的应用机会,其中 SiC 器件正在取代其现有的 Si 器件。材料和器件制造方面将被强调,重点是那些不是从成熟的硅制造领域继承下来的工艺,因此是碳化硅特有的。

特别是,演讲重点介绍了平面和沟槽 MOSFET 的设计,它们目前被插入到大多数基于 SiC 的电力电子系统中。分析 Fab 模型,并展示充满活力的美国 SiC 制造基础设施(反映 Si 的制造基础设施)。并讨论 SiC 大规模商业化的障碍。其中包括高于硅器件的成本、可靠性和坚固性问题、降低器件性能的缺陷,以及需要训练有素的劳动力才能熟练地将 SiC 插入电力电子系统。

最后,并简要介绍了 PowerAmerica 生态系统,该生态系统涵盖 WBG 供应链的各个方面,以及它为其 67 个成员带来的价值。

(内容根据现场资料整理,如有出入敬请谅解!)
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