期间， “IFWS 2021：碳化硅功率器件与封装应用论坛“成功召开。会议由芜湖启迪半导体有限公司、中国电子科技集团公司第四十八研究所、北京北方华创微电子装备有限公司、德国爱思强股份有限公司协办支持。
▲大连理工大学教授王德君
会上，大连理工大学王德君教授通过云视频分享了“SiC MOS器件氧化后退火新途径--低温再氧化退火技术 ”主题报告。报告中介绍了在SiC MOS器件制作过程当中栅氧氧化后处理的一道工序，在栅氧和半导体之间界面会形成大量的缺陷，包括界面的缺陷、固定的电荷、栅氧内部的缺陷、可动离子等不理想因素，尤其是界面的缺陷和近界面处的缺陷会对器件的沟道迁移率会产生影响，近界面的缺陷和电荷会对器件性能的稳定性造成影响。
在SiC半导体器件制作及可靠性技术领域，一种利用含氯元素的氧化后退火技术改进SiC MOSFET器件性能的方法。通过在氧化中引入氮元素，在退火中引入氯元素，既可以有效消除SiC/SiO2界面附近陷阱，又可以通过氯元素固定SiO2薄膜中的可动离子，从而有效提升SiC MOSFET器件的稳定性。
与已有技术相比，本发明通过在氧化中引入氮元素，在退火中引入氯元素，既可以有效消除SiC/SiO2 界面附近陷阱，又可以通过氯元素固定SiO2 薄膜中的可动离子，从而有效提升SiC MOSFET器件的稳定性。更重要的是，氮，氢和氯三种元素的最佳处理时间并不相同，通过氧化引入大量的N可以有效的消除陷阱，随后引入的氢和氯元素可以巧妙的调整处理时间，使其既能钝化剩余缺陷以及固定可动离子，同时不会产生对栅氧绝缘层的劣化。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解！）
