IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：氮化镓功率器件论坛最新日程出炉

张进成，博士，二级教授，博士生导师，教育部长江学者特聘教授，领军人才，卓越青年基金获得者，国务院政府特殊津贴专家，陕西省三秦学者特聘教授。现任西安电子科技大学副校长、宽禁带半导体器件与集成电路国家工程研究中心副主任、宽带半导体技术国家级重点实验室副主任，曾担任ICNS、DRIP、APWS等国际学术会议电子器件分会主席，微电子学院副院长，科学研究院院长。主要研究领域为宽禁带与超宽禁带半导体材料与器件，发表SCI论文300余篇，出版专着3部，授权发明专利80余项，成果6次被国际着名杂志Semiconductor Today专题报道。获得国家技术发明二等奖2项（排名第一和第二），省部级科技一等奖4项以及国家教学成果一等奖1项。1998年起师从中国科学院院士郝跃教授，从事宽禁带半导体电子材料与器件研究，是我国乃至国际上最早开展宽禁带（第三代）半导体电子器件与材料研究的知名学者之一。

张波，教授，博士生导师，电子科技大学集成电路研究中心主任。国家自然科学基金委员会第十二届专家评审组专家；国家“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”科技重大专项总体组专家（2008-2013）；国家“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”科技重大专项总体组特聘专家；国家集成电路人才培养基地专家组专家；中国半导体行业协会理事；中国电工技术学会电力电子学会理事；四川省电子学会半导体集成技术专委会主任等。1985年本科毕业于北京工业学院（现北京理工大学）半导体专业，同年推荐免试进入成都电讯工程学院（现电子科技大学）修读半导体专业工学硕士学位。1988年4月研究生毕业后留校工作于微电子科学与工程系，1990年被评为助理研究员（讲师），1994年7月破格晋升副教授。1996年5月，受国家教委委派，以高级访问学者身份赴美国Virginia理工大学进修，1996年11月－1999年11月，在美国国家工程中心功率电子系统中心（CPES）继续从事研究工作，参加了由美国科学基金、美国海军部、Intel公司、HARRIS公司等资助的十余项科研项目研究。1999年11月回国工作，2000年7月被破格晋升教授，2002年被聘为博士生指导教师。2000年被评为四川省跨世纪青年学科带头人，2002年教育部“高校青年教师奖”获得者，2005年被评为成都市“十大杰出青年”，政府特殊津贴获得者，成都市有突出贡献优秀专家，四川省有突出贡献优秀专家，四川省学术和技术带头人，2013年入选国家“有突出贡献中青年专家”和“国家百千万人才工程”。从1980年代起即致力于新型功率半导体技术研究，在功率半导体领域发表SCI收录论文200余篇、EI收录论文300余篇，获中美发明专利授权80余项，获国家科技进步二等奖等国家及部级科研奖励11项（其中牵头获得2010年国家科技进步二等奖）。所领导的实验室在功率半导体领域已培养出博士50名、硕士600余名。在教学与学术研究的同时为境内外企业成功开发了百余种（款）功率半导体领域新工艺和新产品，实现销售数亿只。