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F1-功率电子器件与应用论坛（碳化硅功率器件） |
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时间：2021年12月6日 地点：深圳会展中心• 六层茉莉厅 Time: Dec 6th，2021 Location: Shenzhen Convention and Exhibition Center • 6th Floor Jasmine Hall |
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屏幕尺寸 / Slides Size：16:9 |
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主持人 Moderator |
盛 况——浙江大学电气工程学院院长、教授 张清纯——复旦大学特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任 |
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13:30-13:55 |
SiC Mass Commercialization: Present Status and Barriers Victor VELIADIS-- Chief Officer and CTO of Power America, Professor of North Carolina State University Victor VELIADIS--美国电力首席执行官兼首席技术官、北卡罗莱纳州立大学教授 |
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13:55-14:15 |
SiC器件和模块的最新进展 Recent Advances of SiC Power Devices (TBD) 张清纯-复旦大学特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任 Jon Zhang--Distinguished Professor of Fudan University |
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14:15-14:35 |
SiC器件在新能源汽车产业中的应用 Application of SiC devices in the new energy automobile industry 吴壬华--深圳欣锐科技股份有限公司董事长 WU Renhua—Chair of the Board, SHINRY |
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14:45-15:10 |
The Question: Will SiC chips be widely adopted by Electric Vehicles in 2025-2030? Anant AGARWAL—美国俄亥俄州立大学教授、IEEE会士 Anant AGARWAL—Professor of The Ohio State University, IEEE Fellow |
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SiC功率器件制造工艺特点与核心装备创新进展 Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices 巩小亮 — 中国电子科技集团公司第四十八研究所 半导体装备研究部副主任 Xiaoliang Gong— Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation |
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15:10-15:35 |
SiC MOS器件氧化后退火新途径——低温再氧化退火技术A new approach of post-oxidation annealing for SiC MOS devices -- the low-temperature re-oxidation annealing technology 王德君 大连理工大学教授 Wang Dejun Professor of Dalian University of Technology |
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15:35-15:50 |
茶歇/Coffee break |
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15:50-16:15 |
SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究 Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device 张艺蒙--西安电子科技大学微电子学院教授 Yimeng Zhang-- Professor of School of Microelectronics, Xidian University |
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第三代半导体碳化硅器件产业化关键技术及发展进展The key technology and development progress of the Wide Band-gap semiconductor silicon carbide device industrialization 钮应喜 芜湖启迪半导体有限公司研发总监 NIU Yingxi R&D Director of Wuhu Advanced Semiconductor Manufacturing Co.,ltd |
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促进宽禁带半导体产业化的关键外延技术The key epitaxial technology to promote the industrialization of wide bandgap semiconductors
方子文 德国爱思强股份有限公司中国区副总经理 FANG Ziwen Deputy General Manage，China AIXTRON SE |
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先进封装大板扇出研发及功率器件封装应用 The Research on Panel Level Fan Out Package and its Application on Power Electronics 林挺宇——广东佛智芯微电子技术研究有限公司副总经理，广东省半导体智能装备与系统集成创新中心首席科学家 Tingyu LIN—Deputy General Manager of Guangdong FZX Microelectronics Technology Co. Ltd, Principal Scientist of CNC Equipment Cooperative Innovation Institute |
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16:15-16:40 |
高可靠功率系统集成的发展和挑战 Development and Challenge of High-Reliability Power System in Packaging 侯峰泽—中国科学院微电子研究所系统封装与集成研发中心副研究员 Fengze Hou—Associate Professor、 Packaging and Integration Research and Development Center, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences |
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16:40-17:05 |
用于SiC功率器件的先进封装解决方案 Advanced packaging solution for SiC power devices 张靖—贺利氏电子中国区研发总监 ZHANG Jing—Director of Innovation China of Heraeus Electronics |
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压装式IGBT双面热阻测试方法的研究与应用Research and Application of Double-sided Thermal Resistance Test Method for Press-pack IGBT 张祎慧 |
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17:05-17:30 |
High-Efficiency 1200 V/ 20 A 4H-SiC JBS Diodes with Better FOM based on Charge-Balance Strategy 张园览--复旦大学 Yuan-Lan ZHANG—Fudan University |
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附件：论坛资料
暨第十八届中国国际半导体照明论坛
&The 18th China International Forum onSolid State Lighting
2021先进半导体技术应用创新展（CASTAS 2021）也同时招展中，欢迎业界人士的参与其中，对接资源，洽谈商机，共商产业发展大计。
备注：
＊国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）或第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）成员单位在此基础上再享受10%优惠。
＊学生参会需提交相关证件。
＊会议现场报到注册不享受各种优惠政策。
＊若由于某些原因，您缴费后无法参会，可办理退款事宜，组委会将扣除已缴费金额的40%作为退款手续费。
＊SSL相关会议包含：开幕大会、半导体照明与应用论坛、Mini/Micro-LED及其他新型显示论坛、超越照明论坛、固态紫外器件与应用论坛、材料与装备论坛、车用半导体创新合作峰会、第三代半导体产教融合发展论坛、生物农业光照技术研讨会、闭幕仪式。
＊IFWS相关会议包含：开幕大会、功率电子器件与应用论坛、射频电子器件与应用论坛、材料与装备论坛、固态紫外器件与应用论坛、车用半导体创新合作峰会、第三代半导体产教融合发展论坛、第三代半导体标准与检测研讨会、闭幕仪式。
＊产业峰会包含：车用半导体创新合作峰会、第三代半导体产教融合发展论坛，以及部分论坛中的产业单元（包括照明设计与文旅灯光、智慧照明与智慧城市、汽车照明与车用灯具、紫外器件应用、Mini/Micro-LED应用与产业、新一代电源应用技术、能源互联网应用技术等会议单元）。
＊餐饮包含：12月6日午餐、6日欢迎晚宴（大中华希尔顿酒店）、7日午餐+晚餐。
