苹果最近发布了用于新MacBook Pro的140W MagSafe充电器，标志着苹果首次采用GaN技术。因此，根据 TrendForce 的最新调查，100W以上的快充产品因此进入了增长期，进而加速了第三代半导体器件在消费类应用中的采用。
随着目前GaN功率晶体管的价格已降至近1美元，而且GaN快充技术不断成熟，TrendForce预计，2025年GaN解决方案在快充市场的渗透率将达到52%。
TrendForce 还表示，2020 年绝大多数 GaN 快速充电器的峰值功率都在 55W-65W 范围内。峰值功率为 55W-65W 的 GaN 快速充电器占去年所有 GaN 快速充电器销量的 72%，其中 65W主流，而峰值功率为100W及以上的GaN快速充电器仅占8%。
即便如此，随着越来越多的公司发布自己的大功率快速充电器，以应对消费者日益增长的能源消费需求，这些大功率快速充电器的前景似乎相对乐观。峰值功率为 140W 的快速充电器是目前可用的最强大的解决方案。
在 100 W以上的产品类别中，GaN 快充的渗透率已达到62%。这些充电器主要由Navitas和 Innoscience 提供。Navitas的 GaN 芯片拥有超过 70% 的市场份额，被用于 baseus、Lenovo 和 Sharge 等公司的产品中。
另一方面，PFC+LLC 组合控制器已成为 100W以上快速充电器的主流解决方案，因为这些控制器具有更高的效率和更小的物理尺寸。SiC 二极管和 GaN 开关的组合使PFC（功率因数校正）频率提高。因此，主要制造商已迅速将 GaN+SiC 宽带隙半导体组合用于其快速充电器。
例如，baseus在2020年发布了全球首款120W GaN（Navitas供应）+ SiC（APS供应）快充，获得了市场好评。Global Power Technology、Maplesemi 和 onsemi 等 SiC 功率器件供应商也一直在加大对 PD（电力输送）快速充电器制造商的出货量。
需要指出的是，快充接口已经逐渐成为汽车的标配。鉴于大功率车载充电市场的兴起，电子产品的功耗和最大电池容量将推动包括GaN和SiC在内的第三代半导体在未来的广泛应用。
