据了解，Primo D-RIE®刻蚀设备被全球领先的芯片制造商用于制造存储和逻辑器件。客户非常看重该设备在大规模生产中稳定可靠的性能表现、显著提升的生产率和相对较低的生产成本方面的优势。为优化产量而设计，Primo D-RIE®可以配置多达三个双反应台反应腔，每个反应腔既可以独立操作，又可以同时加工两片晶圆。此外，该设备的突出特点还包括：中微公司具有独立自主知识产权的甚高频和低频混合射频去耦合反应等离子体源、等离子体隔离环、用于控制腔体内反应环境的先进工艺组件。
自2007年Primo D-RIE®发布以来，中微公司陆续拓展了CCP刻蚀设备产品线，以满足客户日益严苛的技术需求。除Primo D-RIE®双反应台刻蚀设备以外，CCP刻蚀设备系列还包括双反应台刻蚀设备Primo AD-RIE®、单反应台刻蚀设备Primo SSC AD-RIE®、Primo HD-RIE®和刻蚀及除胶一体化的 Primo iDEA®。这些产品为客户提供了全面综合的设备解决方案，用于5纳米及以下工艺的多种应用。中微公司的刻蚀设备产品线还包括其他两款电感耦合低能等离子体（ICP）刻蚀设备和硅通孔（TSV）刻蚀设备。
中微公司等离子体刻蚀设备独特的创新技术和不断快速增长的市场占有率巩固了在国内外半导体前道设备行业的领先地位，并推动公司持续发展。今年到目前为止，用于3D NAND应用的Primo HD-RIE和用于7纳米及以下节点逻辑应用的Primo AD-RIE-e占设备总出货量的50%。其中，中国大陆和台湾地区占比最高。中微公司今年前三个季度的销售收入比去年同期增长了40.4%，其中刻蚀设备的销售增长率约100%。
中微公司集团副总裁兼等离子体刻蚀产品事业总部总经理倪图强博士将这一付运里程碑和公司的稳步增长归功于公司的“客户至上”营运原则，他指出：“中微公司的创新技术和世界一流的专业技能使我们的刻蚀设备产品备受领先厂商青睐，我们为此感到自豪。帮助客户实现他们的技术和盈利目标激励着中微公司从管理团队到基层的每一位员工，并影响着整个产品生命周期的每一个环节——从产品设计、设备方案定制到我们的专业现场工程师提供全方位的服务。我们非常感谢客户给予中微公司和产品的信任，我们今天取得的里程碑离不开客户的长期支持。”
注：Primo D-RIE®、Primo AD-RIE®、Primo HD-RIE®、Primo SSC AD-RIE®和Primo iDEA®是中微公司的注册商标。
