11月1日，苏州工业园区管理委员会公示了苏州晶湛半导体有限公司新建氮化镓外延片生产扩建项目环境影响报告书。
该报告书显示，苏州晶湛半导体有限公司成立于2012年3月，租用苏州纳米科技发展有限公司位于苏州纳米城西北区19栋的厂房，从事氮化镓电子材料和光电材料的研发。
本次项目拟投资28000万元进行异地扩建，在苏州工业园区百川街西、南荡田巷北自购土地建设新厂区，建成后年产氮化镓外延片24万片。其中，6英寸和8英寸氮化镓外延片年产能均为12万片，用于制造微波功率器件和电力电子功率器。
项目预计2021年11月开工建设，2023年2月完成建筑施工。
晶湛半导体官网介绍，2014年底，晶湛半导体在全球首家发布其商品化8英寸硅基氮化镓外延片产品，经有关下游客户验证，该材料具备全球领先的技术指标和卓越的性能，并填补了国内乃至世界氮化镓产业的空白。截至目前，晶湛半导体已完成A+轮融资，用于扩大生产规模，150mm的 GaN-on-Si 外延片的月产能达1万片。目前，晶湛半导体已拥有全球超过150家的著名半导体公司、研究院所客户。
