据日经消息，日本半导体大厂东芝半导体开发出了用于供电的新一代功率半导体技术。东芝新开发的芯片可以抑制噪音发生，采用新一代技术的芯片与之前相比电力损耗少25%。
东芝半导体创建于1875年，其功率IC系列涵盖从40V和60V的低压功率IC到250V和600V的高压功率IC。
低压功率IC具有过电流、热关断等保护功能，并具有诊断输出。它们主要用于车载娱乐应用；高压功率IC则主要应用于家用电器无刷直流电机。
具体来说，东芝在功率半导体产品包括绝缘栅双极晶体管（IGBT）、电子注入增强栅晶体管（IEGT）、SiC MOSFET。
IGBT是一种通过与MOSFET相同的方式控制栅极和发射极之间的电压，接通和关断集电极和发射极之间电源的器件主要应用在IH烹饪设备，电饭煲，厨房微波炉，冰箱，洗衣机，空调等产品。
IEGT则具有功率大、体积小、效率高、耐压值高的特点，主要用于整流器、变压器、风力发电机组、轨道运输系统中（如新干线N700S系列高速列车）。值得一提的是，IEGT是最先由东芝提出的技术，东芝也是IEGT器件的主要生产与供应商。
相对于双极的IGBT器件，SiC MOSFET的关断损耗更低，且更耐高压。东芝的SiC MOSFET已经应用在了电动汽车充电桩等大功率转化器的参考设计中。
根据公开资料显示，东芝在全球功率半导体市场占据着约4.5%的份额。随着低碳成为全球共同关注的议题，功耗问题已经成为功率半导体的重要指标之一。本次东芝新发表的技术，可以将噪声降低51%，功耗降低25%。同时，这款芯片面积减少了15%并具备在短路等事故发生的时候，迅速采取保护措施的功能。东芝预计这一技术将在2025年实现量产。
