三星宣布量产14纳米EUV DDR5 DRAM_企业动态_产业_新闻资讯

三星宣布量产14纳米EUV DDR5 DRAM

日期：2021-10-12 阅读：308

核心提示：三星电子宣布开始量产基于极紫外光（EUV）技术的14纳米（nm）DRAM。继2020年3月推出首款EUV DRAM后，三星电子又将EUV层数增加至5层，为其DDR5解决方案提供更为优质、先进的DRAM工艺。

三星电子宣布开始量产基于极紫外光（EUV）技术的14纳米（nm）DRAM。继2020年3月推出首款EUV DRAM后，三星电子又将EUV层数增加至5层，为其DDR5解决方案提供更为优质、先进的DRAM工艺。

图片来源：三星电子官网截图

据介绍，三星电子5层EUV工艺14纳米DRAM具有业界最高的晶圆密度，与上一代相比，整体晶圆生产率提高了约20%。此外，三星电子14纳米DRAM产品的功耗相比上一代DRAM工艺降低了约20%。

图片来源：三星电子官网

三星计划扩展其14纳米DDR5产品组合，以支持数据中心、超级计算机和企业服务器应用。另外，三星预计将其14纳米DRAM芯片容量提升至24Gb，以更好满足全球IT系统快速增长的数据需求。

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