英诺赛科邹艳波：All-GaN系列方案在快充领域的应用

随着市场对快充适配器功率密度的不断追求，适配器的开关频率逐渐提升，以缩小内部元件体积，传统的Si MOS器件，开关损耗和驱动损耗已经明显拉低了适配器的转换效率，器件限制不能继续提高工作频率，限制了磁性元件的缩小，不能进一步提升适配器的功率密度。

 

近日，由半导体产业网、第三代半导体产业（公号）、博闻创意会展（深圳）有限公司共同主办的“2021第三代半导体技术及充电产业合作论坛”在“ELEXCON深圳国际电子展暨嵌入式系统展”同期举行。论坛特别邀请第三代半导体相关专家、快充产业链相关专家及企业代表，探讨第三代半导体技术及充电产业机遇与挑战。英诺赛科科技有公司高级产品应用经理邹艳波带来了题为“All GaN 系列方案在快充领域的应用”的主题报告。分享了All-GaN 创新解决方案。

英诺赛科科技有公司高级产品应用经理 邹艳波

他表示，大功率快充期望功率密度进一步提高，InnoGaN 30W~120W 功率段终端产品上市，更多中大功率的设备将使用GaN PD快充。

同时，报告还详细介绍了65W、120W、240WAll-GaN 创新解决方案，其中，65W2C1A，开关频率：400KHZ功率密度：25W/in3；120W 单C，开关频率：400KHZ，功率密度：38W/in3；240W 48V/5A，开关频率：500KHZ，功率密度：41W/in3。

他表示，英诺赛科是全球首条8英寸硅基氮化镓IDM量产线，全球专利700+，产品主要为30V-650V GaN FET，目前在珠海和深圳拥有研发生产基地，深圳拥有市场和应用基地，2021年底产能可达1万片晶圆/月。未来，氮化镓的应用将在消费类电子、工业和汽车领域的创新应用值得期待。

邹艳波，有丰富的氮化镓器件应用于高频高密电源开发经验，原任职于ICT领域知名企业，从事手机、AI智能云服务器和5G通信设备的供电解决方案的前沿技术的研究和开发。现负责氮化镓器件产品应用开发与规划，构建公司氮化镓器件产品在5G通信，新能源汽车，智能手机，人工智能，大数据中心等战略新兴领域的竞争力。