作为第三代半导体材料，碳化硅（SiC）与硅（Si）相比，介电击穿强度更大、饱和电子漂移速度更快且热导率更高。因此，当用于半导体器件中时，碳化硅器件拥有高耐压、高速开关、低导通电阻、高效率等特性，有助于降低能耗和缩小系统尺寸。碳化硅可以广泛应用于电动汽车、逆变器、轨道交通、太阳能、风力发电、消费类电源等领域。
近日，由半导体产业网、第三代半导体产业（公号）、博闻创意会展（深圳）有限公司共同主办的“2021第三代半导体技术及充电产业合作论坛”在“ELEXCON深圳国际电子展暨嵌入式系统展”同期举行。论坛特别邀请第三代半导体相关专家、快充产业链相关专家及企业代表，探讨第三代半导体技术及充电产业机遇与挑战。
南方科技大学研究员、荷兰代尔夫特理工大学访问教授叶怀宇做了题为“碳化硅快充/逆变器的先进微纳金属烧结封装技术”的主题报告，分享了最新研究进展。
汽车电动化趋势日趋明显，汽车半导体用量呈现翻倍以上增长的势头，电动汽车半导体用量总价达到704$/辆，增长幅度达到108%。平均每辆新能源车使用约50颗IGBT：2020年，全球新能源汽车销量约为331万辆，2025年，预计突破1800万辆。
全球电网建设加大力度，行业咨询机构GlobalMarketInsights日前发布报告称，预计到2024年，全球智能电网的市场规模将达到700亿美元。在全球各国政府的支持下，智能电网的渗透率将持续增长，预计未来3年内，全球智能电网市场的复合增长率将超过20%。2018-2050年，骨干网架新增线路长度17.7万公里、输电容量7.2亿干瓦，其中海缆1.09万公里、跨海输电容量2.04亿千瓦，投资合计3900亿美元。
报告围绕着纳米铜烧结技术研究、纳米Cu和A的验证研究、不同封装结构的烧结演示，结合具体的实验结果，分享了最新研究成果。指出，已开发出具有优异性能的新型纳米铜基浆料，设计制造第二代低电感碳化硅功率模块（3nH和2.5nH），设计并制造了一个1 kA/10 kV半桥压装式高电压高电流IGBT功率模块。
嘉宾简介
叶怀宇，致力于半导体先进封装测试，第三代半导体功率电子器件封装互联新材料开发及应用、热管理及能源管理、测试机理及应用，高功率高频率半导体器件非平衡态热力学，新型半导体传感器及封装的开发及应用，电子器件模块及系统中能源管理及可持续应用等方面的研究。
