3月，Intel新任CEO帕特·基辛格宣布了全新的IDM 2.0战略，其中主要内容就是投资200亿美元在美国建设2座新的晶圆厂。9月24日，基辛格驾驶挖掘机正式给新项目奠基，2024年这些工厂要首发量产20A埃米工艺。
美国亚利桑那州是Intel晶圆生产的重镇，算上这次的投资，Intel公司40多年来已经在该地区投资了500亿美元，CEO基辛格表示这次的投资代表着Intel致力于在该领域长期投资，帮助美国半导体重回前沿地位。
该投资计划预计将创造3000多个高技术、高薪酬的长期工作岗位，以及3000多个建筑就业岗位和大约15000个当地长期工作岗位。
Intel公布了这里两座晶圆厂的细节，分别会命名为Fab 52、Fab 62，并首次透露这些工厂将会在2024年量产20A工艺——这与之前预期的不同，原本以为会量产的是Intel 4这样的下两代工艺。
Intel 20A工艺是今年7月份才公布的，是Intel 10/7/4/3工艺之后的升级版，而且首次进入后纳米时代，直接用了埃米(A代表的是?ngstrom，1纳米等于10埃米)，技术细节美公布，但字面意义上看20A差不多就是2nm工艺的级别，符合3nm之后的摩尔定律升级规则。
20A工艺除了EUV光刻工艺之外，还会有2大黑科技——R ibbonFET及PowerVia。
根据Intel所说，RibbonFET是Intel对Gate All Around晶体管的实现，它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。
PowerVia是Intel特有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。
