微波功率器件广泛应用于无线通信，雷达与电子对抗，军事装备以及医疗电子等系统中，金刚石可实现具有更高功率密度、高截止频率、更高工作温度、耐辐照、可工作于恶劣环境的电子器件候选。半导体器件不断向更高频率、更大功率、更高可靠性方向发展，继Si、GaAs、GaN之后，金刚石可用于下一代更高频率、更大功率半导体材料与器件。
9月13-14日，“2021中国（南京）功率与射频半导体技术市场应用峰会（CASICON 2021）”在南京召开。本届峰会由半导体产业网、第三代半导体产业主办，并得到了南京大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导。
会上，微波功率器件广泛应用于无线通信，雷达与电子对抗，军事装备以及医疗电子等系统中。中电科第十三研究所郭建超带来了“金刚石微波功率器件研究”的主题报告，结合具体的数据，报告从带沟道金刚石材料、金刚石微波功率器件等角度分享了最新研究进展。
报告指出，电子级金刚石材料制备是其器件应用的前提，MPCVD是目前获得器件级金刚石的最佳技术。材料外延受衬底取向、晶体质量和表面状态的影响。器件要求表面的平整度需达到原子级别，高质量表面加工技术也尤为重要。高性能导电沟道是RF器件基础。
当前研究结果显示，目前2GHz输出功率密度2.5W/mm，领先于国外。
