六方氮化硼(h-BN)属六方晶系，其结构属于类石墨结构，常被成为“白石墨烯”层间B原子和N原子之间导致结构非常稳定。h-BN是一种具有优异的物理化学性质，应用潜力巨大的超宽禁带半导体。
h-BN具有本征吸收限低(210 nm),对紫外波段具有良好的透过效果；热导率高(600 W/m·k)可以提高器件的散热性能；介电常数小，这可以保证器件的寄生电容较小，具有更低的噪声和更快的响应时间；III族氮化物，有助于部分器件有源层材料晶体质量的提升；可通过掺杂金属调整折射率等特点。基于hBN的电阻开关在5G和太赫兹通信方面应用潜力巨大。
会上，西安交通大学副教授李强做了题为“大面积hBN薄膜制备及电阻开关特性研究”的主题报告，从大面积hBN薄膜的制备、hBN薄膜的表征、hBN薄膜的应用等角度详细分享了研究成果。
报告指出，通过三明治结构的设计进行电阻开关特性的测试，从实验上验证了磁控溅射制备大面积氮化硼薄膜具有电阻开关行为，为BN作为RRAM材料奠定了基础。
研究结果显示采用溅射法制备了高质量的 hBN 薄膜并研究了薄膜的特性。制备的 hBN 薄膜可以在大面积上获得良好的光滑度。溅射制备的 hBN 薄膜的 RS 行为首先在 Ag/hBN/Al 结构中观察到。Al掺杂BN薄膜的RS-window明显增加。
嘉宾简介
李强，从事宽禁带半导体材料与器件研究，主要研究方向：氧化物半导体材料（氧化铟锡ITO）和超宽禁带半导体材料（氮化硼BN）的制备与器件应用。第一发明人拥有国家授权发明专利11项，在国内外重要期刊上发表学术论文50余篇。主持国家及省部级项目6项，主讲国家一流本科生课程1门，陕西省精品课程1门，作为主编之一编写专著1部。
