会上，安徽芯塔电子科技有限公司总经理倪炜江带来了题为“高性能高压SiC器件设计与技术”的主题报告，报告从材料特性、器件结构、发展现状等方面介绍高性能高压SiC器件的技术及发展趋势，以及芯塔电子在SiC功率器件方面的技术和产品布局。
倪炜江表示，公司目前可以提供600-1200V 各种各种型号和规格的SiC肖特基二极管；4英寸、6英寸SiC肖特基二极管的裸晶圆、裸芯片；SiC功率模块和客制化SiC肖特基二极管器件；SiC生产线的建线技术服务，包括设备、工艺、产能和技术规划。基于国产工艺平台、国产外延和自主知识产权的6英寸SiC MOSFET器件（ 1200V 40mΩ，80mΩ ）。芯塔电子愿与产业链优秀企业和团队深入合作，共同打造基于全国产的第三代半导体产业生态圈。
