中电科五十五所高级工程师刘强带来了题为“碳化硅MOSFET技术问题及55所产品开发进展”的主题报告。报告分析了目前碳化硅MOSFET技术主要面临问题及解决方法，以及国基南方下一步进展及未来发展规划。
SiC MOSFET器件对比Si IGBT具有开关损耗优势显著，可实现更低导通损耗等优势。对比Si MOSFET具有电流密度更高，导通损耗低，全温度区间变化小等优势。
商用SiC肖特基二极管于2001、SiC MOSFET 2011年推出，目前已经超越“概念验证”阶段。SiC MOSFET产品技术已发展到第三代，采用新型栅氧、沟槽结构等技术，未来将向更大电流密度、更宽电压范围、更高可靠性等方向发展。
不过，目前SiC MOSFET还存在市场渗透率低的问题，商业化进程依然比较缓慢，特别是SiC MOSFET器件；目前市场规模不到硅电力电子器件的3％。主要原因是价格高，效率、降低系统成本等收益尚未充分体现；产品成熟度待提升，器件可靠性问题尚未完全解决；封装和驱动等问题未完全解决，性能优势未得到充分发挥。
SiC MOSFET产品成熟度也有待提高，其中，阈值电压较低、厂家间差异大，长期稳定性问题仍需提升；栅极击穿离散较大，栅氧介质的高温长期可靠性仍需验证；体二极管正向导通状态下的双极型漂移问题尚未完全解决。
目前国基南方在材料-芯片及器件设计-芯片制造-封装-可靠性测试，拥有自主外延生长能力，目前供片能力超过3万片/年，后续进一步扩产至10万片/年，可以满足600V-20000V 器件研发生产需求。芯片及器件设计方面拥有宽禁带国家重点实验室，专利受理300余项，其中发明专利超过200项，PCT 10项；R&D投入4500万元/年，先后承担并完成了多项国家SiC电力电子器件重大专项、科技部“重点研发计划”等方面的研究课题；拥有6英寸SiC专用工艺线，国内最早实现6英寸SiC MOSFET量产，专业化的模块封装能力和先进的器件测试分析能力，可半导体功率模块研制和批产,年产150万只功率模块。
报告同时介绍了国基南方下一步进展及未来发展规划，将关注第二代SiC MOSFET产品开发，超高压SiC MOSFET器件及模块以及SiC集成电路。
