9月13-14日，“2021中国（南京）功率与射频半导体技术市场应用峰会（CASICON 2021）”在南京召开。本届峰会由半导体产业网、第三代半导体产业主办，并得到了南京大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导。
会上，北京大学物理学院高级工程师杨学林带来了“Si衬底上GaN基电子材料外延生长技术研究进展”的主题视频报告，报告提出采用Ga空位工程，在Si（111）衬底上实现高质量的GaN厚膜。研究了C杂质与位错相互作用，获得高迁移率GaN薄膜材料。揭示了AlN/Si界面寄生电导的产生机理并提出抑制方法。
嘉宾简介
杨学林，近年来在Si衬底上GaN基材料的MOCVD外延生长、C杂质的掺杂调控、缺陷影响电子器件可靠性的机理研究等方面取得了多项进展。在知名期刊上共发表SCI论文70多篇，申请/授权国家发明专利10多件。
