9月13-14日，“2021中国（南京）功率与射频半导体技术市场应用峰会（CASICON 2021）”在南京召开。本届峰会由半导体产业网、第三代半导体产业主办，并得到了南京大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导。
会上，西交利物浦大学副教授刘雯带来了关于通过 AlGaN/GaN MIS-HEMTs 技术实现全 GaN 智能电源 IC的主题报告，高温环境下的电力电子设备，电动汽车所需功率器件的工作温度 >200 ºC，需要具有良好的导热性。
报告从常关 GaN FET（增强模式），AlGaN/GaN MIS HEMT的结构（E 模式和 D 模式），用于电源转换器的全 GaN IC 片上系统 (SOC) 的现状，集成栅极驱动器的设计，具有集成栅极驱动器的同步 GaN 降压转换器等角度分享了研究项目的最新成果。
报告指出，硅基GaN异质结由于其水平结构，为单片集成电路提供了有利条件，具有面积小、寄生参数小、功率密度高、相对成本低等优势。硅基GaN上通过刻蚀凹槽后淀积栅介质得到的E-mode GaN MIS-HEMTs具有低漏电、高栅极电压容限等优点，同时D-mode器件的阈值电压可控。基于这些优点，可以在集成电路中减少保护电路部分，驱动设计更为简单，不同器件参数更加匹配，从而实现更紧凑的集成电路结构。我们通过使用MIS-HEMTs常关型和常开型器件(D-mode和E-mode)，成功在同一芯片上进行集成，研究了All GaN PWM功率变换电路和同步/非同步DCDC转换电路。
报告指出，硅基GaN异质结由于其水平结构，为单片集成电路提供了有利条件，具有面积小、寄生参数小、功率密度高、相对成本低等优势。硅基GaN上通过刻蚀凹槽后淀积栅介质得到的E-mode GaN MIS-HEMTs具有低漏电、高栅极电压容限等优点，同时D-mode器件的阈值电压可控。基于这些优点，可以在集成电路中减少保护电路部分，驱动设计更为简单，不同器件参数更加匹配，从而实现更紧凑的集成电路结构。我们通过使用MIS-HEMTs常关型和常开型器件(D-mode和E-mode)，成功在同一芯片上进行集成，研究了All GaN PWM功率变换电路和同步/非同步DCDC转换电路。
嘉宾简介
刘雯博士2014年起就职于西交利物浦大学电气与电子工程系，在国际专业期刊发表论文20余篇，国际会议报告40余篇，申请发明专利10余项。目前研究兴趣包括：宽禁带半导体GaN/SiC电力电子器件及其单片集成、无线电能传输研究等。
