9月13-14日，“2021中国（南京）功率与射频半导体技术市场应用峰会（CASICON 2021）”在南京召开。本届峰会由半导体产业网、第三代半导体产业主办，并得到了南京大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导。
会上，爱发科商贸电子营业部部长左超带来了题为“量产高性能功率与射频器件的 ULVAC装备技术”的主题报告，分享了SiC功率器件工艺量产技术、 新型Si-IGBT器件工艺量产技术、GaN功率射频器件量产技术等成果，涉及SiC 相关离子注入量产技术、高温及常温注入技术、碳膜覆盖技术、Si-IGBT背面注入技术、Si-IGBT超薄Wafer解决方案、GaN HEMT制造工程、GaN离子注入技术、GaN功率器件沟槽刻蚀技术等。
报告表示，自动驾驶、5G通信、人工智能等新兴领域的技术革新和发展，对电子半导体器件的全方位要求不断提高。爱发科集团致力于各种电子半导体等前沿领域生产技术的研究和开发，特别是应用于大规模生产的下一代智慧能源的功率及射频器件、MEMS及3D封装等相关的真空技术（离子注入、镀膜、等离子体刻蚀、灰化等）的研发和销售推广，不断的为电子半导体制造工艺提供最新的综合解决方案。
嘉宾简介
左超，2009年加入爱发科商贸（上海）有限公司，现负责公司中国区部分电子半导体领域的真空设备的销售推广工作。同时，兼任负责功率射频器件、MEMS电子部品、光学微显示以及先进封装等众多半导体和电子真空技术的研发、项目管理及合作交流等工作。
