【CASICON 2021】第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山：中国功率与射频技术市场现状及未来展望

9月13-14日，“2021中国（南京）功率与射频半导体技术市场应用峰会（CASICON 2021）”在南京召开。本届峰会由半导体产业网、第三代半导体产业主办，并得到了南京大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导，以及蓝雨软件技术开发(上海)有限公司、爱发科商贸(上海)有限公司、宁波恒普真空技术有限公司、苏州晶湛半导体有限公司、青岛聚能创芯微电子有限公司、德仪国际贸易(上海)有限公司、大族激光显示与半导体装备事业部、上海翱晶半导体科技有限公司、上海智湖信息技术有限公司、芜湖启迪半导体有限公司、湖南国芯半导体科技有限公司等单位的大力支持。

会上，第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山带来了题为“中国功率与射频技术市场现状及未来展望”的主题报告。他表示，当前国际企业上下游延伸趋势日益明显，全产业链布局进一步提升竞争优势。并且，国际企业已经完成大规模扩产，2020年-2022年产能将逐步释放。国际龙头企业占据市场主要份额，全球第三代半导体仍然由美日欧企业主导。

以SiC和GaN为代表的第三代半导体在新能源汽车、5G、光伏发电、PD快充等领域不断取得突破，全球第三代半导体市场总体保持增长态势。全球半导体2020年市场规模达到4400亿美元，同比增长6.8%。其中，电力电子市场近9亿美元。根据Yole和Omdia数据显示，2020年，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率半导体的全球市场8.54亿美元，SiC电力电子市场规模约为7.03亿美元，GaN电力电子市场规模约为1.51亿美元。到2025年SiC电力电子市场规模将超过30亿美元，GaN电力电子器件市场规模将超过6.8亿美元。2020年全球功率半导体器件市场规模约为180~200亿美元，SiC、GaN电力电子器件渗透率约为4.2%~4.5%，较2019年提升一个百分点。

第三代半导体微波射频市场规模超过8亿美元。Yole 2020年数据显示，2020-2025年全球GaN射频器件的总体市场将以12％的年均复合增长率（CAGR）从8.3亿美元增长至超过20亿美元。其中，国防应用是GaN射频器件市场的最重要驱动力量，2020-2025年将以22％的年均复合增长率（CAGR）从3.4亿美元增长至超过11.1亿美元；5G基站建设是GaN射频器件市场的另一关键驱动力量，2020-2025年将以15％的年均复合增长率（CAGR）从3.7亿美元增长至超过7.3亿美元；GaN射频器件在无线宽带、射频能量、商业雷达等市场均呈现增长态势。

他指出，国内已经形成了比较完整的产业链，国内第三代半导体产业已经开始由“导入期”向“成长期”过渡，商业技术逐步稳定、价格接近甜蜜点、应用示范效应拉动，各市场渐次开启，带来需求高速增长。截至2020年底，国内有超过170家从事第三代半导体电力电子和微波射频的企业，而2018年尚不足100家。同时，国内高度重视，推出新举措引导和扶持半导体产业，各级政策持续跟进。并且国内研发实力提升，与先进水平差距缩小。资本市场持续活跃，2020年共24笔投资扩产项目（2019年17笔），投资扩产金额达到694亿元（不含GaN光电子），较2019年同比增长161%。

CASA Research数据显示，2020年我国第三代半导体产业电力电子和射频电子总产值超过100亿元，较2019年增长69.5%。其中，SiC、GaN电力电子产值规模达44.7亿元，同比增长54%，衬底材料约2.2亿元，外延及芯片约5亿元，器件及模组约7.2亿元，装置约30亿元，相较前几年，中下游的增长速度加快。而GaN微波射频产值达到60.8亿元，同比增长80.3%。其中，衬底约6.5亿元，外延及芯片9.2亿元，器件及模组19.6亿元，装置约25.5亿元。

总结时指出，“十四五”是我国第三代半导体产业发展的关键窗口期，国家双碳战略开始布局，新基建、中国制造2025将要收官，巨大的市场需求为功率半导体、射频技术和产业的发展创造了机遇。中国企业具备做大做强的政策和市场基础。历经多年的布局和发展，我国第三代半导体产业初步形成了从材料、器件、封测到应用的全产业链，但整体技术和产业竞争力与国外龙头企业相比还存在较大差距，自主可控国产化器件的市场占比还很小，存在与国际差距不断拉大的风险。未来5年将是第三代半导体产业发展的关键期，全球资本加速进入第三代半导体材料、器件领域，产能大幅度提升，竞争不断加剧，国内企业更要提前做好应对国际竞争的准备。

 

 

于坤山，教授级高级工程师，第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长。曾担任输配电及节电技术国家工程研究中心总工，中国电力科学研究院电力电子公司、中电普瑞科技有限公司副总经理兼总工程师，电力电子研究所、微电子研究所所长、电工新材料及微电子研究所所长等职务。长期从事电力电子和电能质量领域的技术研究和工程应用。

 

近年来，在国内外核心刊物上发表论文15篇；获专利34项，其中获发明专利授权8项；出版专著两部，译著一部。获国家科技进步二、三等奖各一项，省部级一、二等奖各2项，三等奖一项。1994年享受国务院政府特殊津贴，1999年获人事部有突出贡献中青年专家称号，1999年获首届中国电机工程青年科技奖，2000年获原国家电力公司首届青年科技创新奖，2007年获国家电网公司优秀专家人才称号。