【CASICON 2021】中国电科首席科学家陈堂胜：低温键合金刚石GaN HEMT微波功率器件

9月13-14日，“2021中国（南京）功率与射频半导体技术市场应用峰会（CASICON 2021）”在南京召开。本届峰会由半导体产业网、第三代半导体产业主办，并得到了南京大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导。

会上，中国电科首席科学家/微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室主任陈堂胜带来了“低温键合金刚石GaN HEMT微波功率器件”的主题报告，介绍了GaN微波功率器件发展现状以及金刚石GaN HEMT近结散热技术进展和低温键合金刚石GaN HEMT。

他表示，GaN HEMT的性能优势已得到充分体现，其工程应用也已获得巨大成功，国内GaN HEMT及MMIC还需进一步提升工艺能力，努力在生产规模扩大和成本管控上下功夫。金刚石材料与GaN HEMT的结合可改进GaN器件的散热，进一步发掘GaN HEMT的微波性能优势，金刚石GaN HEMT是可以期待的新一代固态微波功率器件技术。低温键合金刚石GaN具有多方面的技术优势，55所取得了初步研究结果。改进金刚石衬底的平整度、粗糙度，进一步优化键合工艺，降低键合界面空洞率，推进金刚石GaN HEMT的工程应用是器件工艺研究努力的方向。

 

陈堂胜，现为中国电子科技集团公司制造工艺领域首席科学家，长期从事GaAs、GaN等化合物半导体微波功率器件和单片电路的研制，目前在开展金刚石衬底GaN HEMT、异构集成等方面的研究。