CASICON 2021前瞻：面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术

2021年9月13-14日，由南京大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导，半导体产业网、第三代半导体产业主办的“2021中国（南京）功率与射频半导体技术市场应用峰会（CASICON 2021）”将在南京城市名人酒店召开。会议围绕碳化硅、氮化镓、砷化镓、氧化镓、金刚石等材料在电力电子、5G射频领域的技术进展与创新应用，助推相关领域市场产品国产化替代。

 

届时，南京大学副研究员徐尉宗将受邀出席峰会，并分享题为“面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术”的主题报告。基于AlGaN/GaN异质结界面二维电子气制备的GaN HEMT器件，兼具高电流密度、高耐压和高开关频率优势，是新一代功率电子器件的优选方案。为简化栅极驱动设计，以及满足器件失效安全，增强型GaN HEMT器件是基础。目前商用增强型GaN HEMT器件主要有两种，一种是基于p-GaN帽层结构沟道调控技术的增强型器件，一种是基于Si基增强型MOSFET的级联型器件。相比于级联型器件，p型帽层结构器件拥有更低的EMI、更小的动态开关损耗，以及更优的功率品质因子。目前状态下，栅压摆幅限制下的器件可靠性与能效已成为p型帽层结构增强型GaN HEMT器件所面临的关键问题。

 

报告将从p-GaN帽层增强型器件栅压摆幅受限的物理机制分析出发，结合新型栅极结构方案设计与实验验证，包括反向pn结帽层结构、极化掺杂p型帽层结构等，系统讨论栅极设计对器件可靠性及动态损耗的影响规律，总结出潜在的面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术。此外，本篇报告还将结合报告人所在团队在GaN功率二极管方面的研究成果，总结介绍GaN功率二极管在可靠性与能效方面的关键问题与研究现状。

 

欲知详细最新研究进展与数据成果，敬请关注峰会，也欢迎相关领域专家、学者、行业企事业单位参会交流，共商合作事宜。

 

徐尉宗，博士，南京大学电子科学与工程学院副研究员。分别于2012年、2017年在南京大学物理学院、电子科学与工程学院获学士、博士学位。从事宽禁带半导体材料与器件研究，主要研究方向：GaN基功率电子器件、宽禁带半导体基光电子器件。在国内外重要学术期刊上发表论文40余篇，其中以第一作者/通讯作者在IEEE EDL/TPE, Nano Letters等国际知名期刊上发表学术论文19篇，主持国家及省部级项目4项。