奥趋光电CEO吴亮将出席2021中国（南京）功率与射频半导体技术市场应用峰会

AlN具有超禁带宽度、高热导率、高击穿场强、高热稳定性及声表面和体波速高等优异性能，是紫外光电器件、MEMS传感器及高功率/高频/高温电子器件理想材料，同时也是5G射频前端SAW/BAW/FBAR器件核心材料。在5G射频前端BAW/FBAR器件领域，基于氮化铝（AlN）的薄膜材料已经得到大规模应用；在5G射频前端SAW器件领域，由于AlN相比传统的LT/LN材料压电系数较小，还难以得到大规模应用。为进一步提升AlN材料的压电性能，提升滤波器性能，掺钪AlN薄膜成为射频滤波器首选高端压电材料。
 

2021年9月13-14日，由南京大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导，半导体产业网、第三代半导体产业主办的“2021中国（南京）功率与射频半导体技术市场应用峰会（CASICON 2021）”将在南京城市名人酒店召开。会议围绕碳化硅、氮化镓、砷化镓、氧化镓、金刚石等材料在电力电子、5G射频领域的技术进展与创新应用，助推相关领域市场产品国产化替代。
 

届时，奥趋光电CEO吴亮受邀将出席‘2021中国（南京）功率与射频半导体技术市场应用峰会’，并分享《AlN/AlScN材料制备技术及其在5GRFFE滤波及功率器件等领域应用前景展望》主题报告。制备AlN/AlScN基高性能射频滤波器件，高质量AlN/AlScN薄膜是基础。报告将分析对比制备AlN/AlScN薄膜材料的相关工艺、优缺点及其当前成果等精彩内容。
 

欲知最新研究进展与成果，敬请关注峰会，也欢迎相关领域专家、学者、行业企事业单位参会交流，共商合作事宜。
 

吴亮，国际知名晶体生长工艺与模拟仿真科学家，分别毕业于比利时鲁汶大学、清华大学及大连理工大学，获博士、硕士及学士学位。
 

吴亮博士有近20年半导体、光伏及各种单晶生长工艺研究、开发与研发领导经验。曾供职于英特尔技术发展有限公司、比利时FEMAGSoft SA（高级研发工程师、驻北京首席代表等）、苏州协鑫工业应用研究院有限公司（副院长，现协鑫中央研究院）、协鑫太阳能材料有限公司（总工程师）等，现任奥趋光电技术（杭州）有限公司CEO。其领导奥趋光电团队首次成功开发出全球最大直径60mm的氮化铝单晶晶圆样片，于2021年9月发布了2英寸氮化铝单晶衬底产品并实现小批量量产；同时研究开发出颠覆性的大批量2至8英寸氮化铝/铝钪氮薄膜模板制备工艺专利技术。
 

吴亮博士曾承担日本、德国、比利时等多家世界500强企业或政府组织在半导体材料领域的专业化合作研究，申请/授权国内国际专利50余项，在德国出版晶体生长专著一部，发表各种期刊/会议论文及各种国际/国内邀请报告100多篇/次）。吴亮博士是PV Japan大会全员特邀演讲嘉宾(Invited plenary keynote speaker)，并作为邀请演讲嘉宾出席ICCGE、IWMCG、Semi China、Semi Japan、Semi Taiwan、SNEC、ChinaLED、PV Summit、IWUMD、SSLChina等国际会议。他是Journal of Crystal Growth客座编辑（guest editor），Journal of Crystal Growth、Crystal Growth and Design和Chinese Physics B、“人工晶体学报”等期刊特邀审稿人。自2011年起担任SEMI全球协会Semi China光伏材料学术委员会成员、硅材料分会主席；2019年起担任“人工晶体学报”青年编委、编委；人工晶体标准化委员会委员。