日前，SiC & GaN功率器件设计和方案商派恩杰官方正式宣告与德国Foxy Power合作组建欧洲&北美销售团队。
派恩杰负责市场与销售的副总裁高治廷先生表示：“过去三年，派恩杰潜心研发，已经发布了50余款650V/1200V/1700V SiC SBD、650V , 1200V , 1700V , 750V SiC MOS、650V GaN HEMT功率器件，这些产品在海内外都已经被一些一线客户导入使用。经第三方机构&全球一线客户实机测试验证，产品性能已达国际一流水平。我们争取成为在海外市场最大份额的中国SiC & GaN品牌。”
据了解，派恩杰是成立于2018年9月的第三代半导体功率器件设计和方案商，目前已是国际标准委员会JC-70会议的主要成员之一，参与制定宽禁带半导体功率器件国际标准。其创始人黄兴是美国北卡州立大学博士，师承Dr. B. Jayant Baliga（IEEE终身会员，美国科学院院士，IGBT发明者，奥巴马授予国家技术创新奖章）与Dr. Alex Q. Huang（IEEE Fellow, 发射极关断晶闸管（ETO）的发明者），在Cree / RFMD(Qorvo) / USCi等有长达十年的SiC & GaN功率器件设计经验，累计发布10余篇科技论文，超过350次引用，20余项专利发明，技术实力非常强。
为此，2019年3月，派恩杰成立仅6个月即发布了第一款可兼容驱动650V GaN功率器件。同年8月完成Gen3技术的1200V SiC MOS，填补了国内空白。2020年先后发布用于5G数据中心、服务器与工业辅助电源的650V、1700V工业级MOS以及用于车载充电机的650V车规级MOS。2021年2月发布1200V大电流车规级MOS，应用于电动汽车电驱单管及模块。
官方资料显示，派恩杰的SiC晶圆是由全球晶圆代工龙头企业X-FAB生产制作的。X-Fab是全球第一家提供150mm SiC工艺的foundry，同时也是当前全球具备规模化量产能力的SiC晶圆代工厂TOP3，产能和品质都很可靠。
