氧化镓(Ga2O3)半导体材料由于其超宽禁带宽度(~4.8 eV)、高临界击穿场强(~8 MV/cm)，以及可控n型掺杂外延和大尺寸单晶，在功率电子器件领域得到国内外越来越广泛的研究。然而p型Ga2O3材料难以制备，严重地限制了Ga2O3在功率器件的实际应用。
2021年9月13-14日，由南京大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导，半导体产业网、第三代半导体产业主办的“2021中国（南京）功率与射频半导体技术市场应用峰会（CASICON 2021）”将在南京城市名人酒店召开。会议围绕碳化硅、氮化镓、砷化镓、氧化镓、金刚石等材料在电力电子、5G射频领域的技术进展与创新应用，助推相关领域市场产品国产化替代。
届时，南京大学电子科学与工程学院教授、博导叶建东将受邀出席峰会，并分享题为“氧化镓基双极型异质结功率器件研究”的主题报告。
报告将分享NiO低温外延技术，通过构筑NiO/Ga2O3异质结构显著降低器件反向漏电流，有效提高器件击穿电压，并揭示了NiO/Ga2O3 II型异质界面能带弯曲和载流子隧穿复合的共性机制。为进一步减小正向导通电阻和开启电压以及提高击穿电压，研制出带有NiO场限环的垂直结构异质结势垒肖特基(HJBS)二极管，。在此基础上，研制出单管面积(1mm×1mm) NiO/Ga2O3 p-n二极管。为进一步抑制电场边缘聚集效应，设计和研制出具有倾斜台面的NiO/Ga2O3 p-n功率二极管等。种种数据结果表明，通过异质集成p-n结是实现氧化镓基双极型功率器件的可行路径之一。
欲知详细最新研究进展与数据成果，敬请关注峰会，也欢迎相关领域专家、学者、行业企事业单位参会交流，共商合作事宜。
【嘉宾简介】
叶建东，南京大学电子科学与工程学院教授、博导。2002年和2006年分别在南京大学获得学士和博士学位。曾先后就职于新加坡微电子研究所和澳大利亚国立大学。长期从事宽禁带氧化物半导体材料、物理与器件研究，主持和完成国家重点研发计划课题、国家优秀青年基金、江苏省杰出青年基金、江苏省重点研发计划等。在IEEE Power Electron. Dev., IEEE Electron Dev. Lett., IEEE Trans. Electron Dev., Appl. Phys. Lett等学术期刊上发表130余篇，受邀综述3篇，专著1章，申请/授权发明专利15/7项。
会务组也诚挚欢迎相关领域的专家、学者、行业企事业单位能参会与叶建东教授多多交流！
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【组织机构】
指导单位
南京大学
第三代半导体产业技术创新战略联盟
主办单位
半导体产业网
第三代半导体产业 公号
承办单位
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
赞助支持单位
蓝雨软件技术开发(上海)有限公司
爱发科商贸(上海)有限公司
宁波恒普真空技术有限公司
苏州晶湛半导体有限公司
青岛聚能创芯微电子有限公司
德仪国际贸易(上海)有限公司
大族激光显示与半导体装备事业部
上海翱晶半导体科技有限公司
上海智湖信息技术有限公司
芜湖启迪半导体有限公司
湖南国芯半导体科技有限公司
【时间地点】
时间：2021年9月13-14日
地点：南京·城市名人酒店（江苏省南京市鼓楼区中山北路30号）
如果您想参会，可以直接扫码预报名，我们会第一时间和您联系！
【会议安排】
【报告嘉宾&主题报告】
更多报告嘉宾正在确认中！！！
1、9月13日报告（陆续更新中）
嘉宾：于坤山--第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长
报告：中国功率与射频技术市场现状及未来展望
嘉宾：陈堂胜--中国电科首席科学家/微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室主任
报告：低温键合金刚石GaN HEMT微波功率器件
嘉宾：陈敦军--南京大学电子科学与工程学院副院长、教授
报告：GaN功率开关器件及其高频电源应用
嘉宾：刘斯扬--东南大学教授
报告：SiC功率MOSFET器件可靠性研究进展
嘉宾：龙世兵--中国科学技术大学微电子学院执行院长
报告：低成本高性能氧化镓半导体功率器件
嘉宾：Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
报告：Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective
嘉宾：戴小平-湖南国芯科技总经理
报告：浅析SiC模块封装技术
嘉宾：Yuhao Zhang 美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统中心助理研究员
报告：1.2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit
嘉宾：龚平--西安唐晶量子科技有限公司董事长
报告：6 inch GaAs 基 VCSEL 和 射频外延技术
嘉宾：纽应喜--启迪半导体研发总监
报告：碳化硅外延装备及技术进展
嘉宾：张 云--天津大学电气自动化与信息工程学院教授
报告：新能源汽车电力电子系统及其运行控制
2、9月14日报告（陆续更新中）
嘉宾：程新红--中科院上海微系统研究所研究员
报告：SOI基GaN材料及功率器件集成技术
嘉宾：邓小川--电子科技大学教授
报告：极端应力下碳化硅功率MOSFET的动态可靠性研究
嘉宾：张之梁--南京航空航天大学 教授
报告：1kV宽禁带LLC变换器控制与应用
嘉宾：惠 峰--云南锗业公司首席科学家/中科院半导体所研究员
报告：VCSEL用六英寸超低位错密度砷化镓单晶片研制及应用
嘉宾：陈 鹏--南京大学教授
报告：GaN肖特基功率器件新进展
嘉宾：Yuhao Zhang 美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统中心助理教授
报告：Packaging Enabled Thermal Management of Ga2O3 Devices
嘉宾：倪炜江--安徽芯塔电子科技有限公司 总经理
报告：高性能高压碳化硅功率器件设计与技术
嘉宾：李 强--西安交通大学副教授
报告：基于HBN 的射频器件
嘉宾：吴 彤--安森美首席SiC 专家
报告：Adopt of SiC devices in EV applications
嘉宾：吴 亮--奥趋光电CEO
报告：AlN/AlScN材料制备技术及其在5GRFFE滤波及功率器件等领域应用前景展望
嘉宾：张保平--厦门大学电子科学与技术学院 副院长、教授
报告：氮化镓基VCSEL技术进展
嘉宾：蔚 翠--中电科第十三研究所研究员
报告：金刚石微波功率器件研究
嘉宾：左 超--爱发科商贸（上海）有限公司电子营业部部长
报告：量产高性能功率与射频器件的ULVAC装备技术
嘉宾：裴轶/Amgad Alsman--苏州能讯高能半导体有限公司技术副总裁/中国科学技术大学
报告：基于物理的5G射频GaN 晶体管模型、趋势和挑战
嘉宾：王祁玉--益丰电子副总经理
报告：射频器件（TBD）
嘉宾：袁 理--青岛聚能创芯微电子有限公司
报告：面向快充应用的GaN材料和器件技术
嘉宾：刘 雯--西交利物浦大学副教授
报告：硅基GaN MIS-HEMT 单片集成技术
嘉宾：黄润华--中电科五十五所副主任设计师
报告：碳化硅MOSFET技术问题及55所产品开发进展
嘉宾：英诺赛科科技股份有限公司
报告：八英寸硅基氮化镓技术进展（TBD）
嘉宾：叶建东--南京大学教授
报告：氧化镓基双极型异质结功率器件研究
嘉宾：彭 燕--南砂晶圆研发中心主任，山东大学副教授
报告：碳化硅与金刚石单晶衬底技术与产业化研究
嘉宾：叶念慈--三安集成技术市场总监
报告：（TBD）
嘉宾：童吉楚--乾照激光副总经理
报告：VCSEL 技术 (TBD)
嘉宾：向鹏博士--苏州晶湛半导体有限公司研发经理
报告：用于新型GaN功率器件的外延技术进展
嘉宾：杨学林--北京大学物理学院高级工程师
报告：Si衬底上GaN基电子材料外延生长技术研究进展
嘉宾：Yuhao Zhang 美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统中心助理教授
报告：Ruggedness of SiC MOSFETs and GaN HEMTs in Overvoltage Switching
嘉宾：徐尉宗--南京大学研究员
报告：面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术
嘉宾：郭宇锋--南京邮电大学副校长、教授
报告：Off-state Characterization of AlGaN/GaN HEMT via Artificial Neural Network
嘉宾：樊嘉杰--复旦大学青年研究员
报告：SiC功率器件先进封装材料及可靠性优化设计
更多报告嘉宾正在确认中！！！
【拟参与单位】华为、中兴、南京大学、三安光电、东南大学、英诺赛科、锴威特、泰科天润、基本半导体、捷捷微电、中微公司、苏州纳维、厦门大学、南砂晶圆、瀚天天成、苏州晶湛、云南锗业、Crosslight、英飞凌、GaNPower、安森美、许继电气、中车时代、国家电网、中芯集成、华润微电子、南大光电、AIXTRON、中电科五十五所、中电科十三所 西安电子科技大学、江苏能华、西安交通大学、北京大学，电子科技大学，河北同光、山东天岳、天津大学、聚能创芯，赛微电子，南京百识，唐晶量子，天科合达，汉骅半导体，南京百识，大族激光，德仪，江苏三代半研究院等
【投稿】Oral或Poster ：500字左右扩展摘要提交到 1957340190@qq.com。
【参会注册 】注册费 2000 （会议资料，招待晚宴，自助餐）
开户行：中国银行北京科技会展中心支行
账 号：336 356 029 261
名 称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
【参会/赞助/商务合作】
联系人：贾先生18310277858，jiaxl@casmita.com
联系人：贾先生18310277858，jiaxl@casmita.com
张小姐13681329411，zhangww@casmita.com
如果您想参会，可以直接扫码预报名，我们会第一时间和您联系！
协议酒店：城市名人酒店（协议价400，含早）
联系人：王玮18652978537，648231476@qq.com
防疫提示：会务组最新咨询南京市卫健委并得到答复，目前南京市全域均为低风险区，进出南京不需要核酸检测证明，只要14天内没去过中高风险区和出入境经历，体温无异常情况下，均可持绿码进出南京参加会议。
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