随着电子封装技术向微型化、高密度、集成化、高可靠方向发展，芯片级封装、系统级封装、系统级芯片、三维立体封装将陆续在碳化硅（SiC）功率模块封装中被采用。先进封装及可靠性技术是保证宽禁带半导体性能优势并实现长期有效服役的关键，属于第三代半导体产业亟待解决的卡脖子问题，因此，急需对复杂使役条件下SiC功率模块新型封装工艺、材料、失效机理和可靠性等基础问题展开前瞻性探索。
2021年9月13-14日，由南京大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导，半导体产业网、第三代半导体产业主办的“2021中国（南京）功率与射频半导体技术市场应用峰会（CASICON 2021）”将在南京城市名人酒店召开。会议围绕碳化硅、氮化镓、砷化镓、氧化镓、金刚石等材料在电力电子、5G射频领域的技术进展与创新应用，助推相关领域市场产品国产化替代。
届时，复旦大学青年研究员/博士生导师樊嘉杰将受邀出席峰会，并分享“SiC功率器件先进封装材料及可靠性优化设计”主题报告。报告将从第三代半导体发展现状、功率器件及模块封装形式的发展趋势、先进封装材料的发展趋势、封装可靠性设计及优化方法等四个方面展开介绍。
欲知最新研究进展与成果，敬请关注峰会，也欢迎相关领域专家、学者、行业企事业单位参会交流，共商合作事宜。
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【嘉宾简介】
樊嘉杰，博士，复旦大学工程与应用技术研究院上海碳化硅功率器件工程技术研究中心青年研究员/博士生导师。香港理工大学和美国马里兰大学联合培养博士，荷兰代尔夫特理工大学博士后/CSC公派访问学者/客座研究员。主要研究方向：第三代半导体封装及可靠性。迄今共发表学术论文110余篇；申请/授权专利20余项；主持起草ISA国际标准1项、参与起草国家标准和CSA联盟标准多项。获全国“第三代半导体卓越创新青年”称号、入选江苏省科协“青年科技人才托举工程”、江苏省第十五批“六大人才高峰”高层次人才等。
会务组也诚挚欢迎相关领域的专家、学者、行业企事业单位能参会与樊嘉杰博士多多交流！更多会议资料请往下查看：
赞助支持单位
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【组织机构】
指导单位
南京大学
第三代半导体产业技术创新战略联盟
主办单位
半导体产业网
第三代半导体产业 公号
承办单位
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
赞助支持单位
蓝雨软件技术开发(上海)有限公司
爱发科商贸(上海)有限公司
宁波恒普真空技术有限公司
苏州晶湛半导体有限公司
青岛聚能创芯微电子有限公司
德仪国际贸易(上海)有限公司
大族激光显示与半导体装备事业部
上海翱晶半导体科技有限公司
上海智湖信息技术有限公司
芜湖启迪半导体有限公司
湖南国芯半导体科技有限公司
【时间地点】
时间：2021年9月13-14日
地点：南京·城市名人酒店（江苏省南京市鼓楼区中山北路30号）
如果您想参会，可以直接扫码预报名，我们会第一时间和您联系！
【会议安排】
【报告嘉宾&主题报告】
报告嘉宾：陈堂胜--中国电科首席科学家/微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室主任
主题报告：低温键合金刚石GaN HEMT微波功率器件
报告嘉宾：陈敦军--南京大学电子科学与工程学院副院长、教授
报告嘉宾：程新红--中科院上海微系统研究所研究员
主题报告：SOI基GaN材料及功率器件集成技术
报告嘉宾：邓小川--电子科技大学教授
主题报告：极端应力下碳化硅功率MOSFET的动态可靠性研究
报告嘉宾：惠 峰--云南锗业公司首席科学家/中科院半导体所研究员
报告嘉宾：陈 鹏--南京大学教授
报告嘉宾：倪炜江--安徽芯塔电子科技有限公司 总经理
报告嘉宾：李 强--西安交通大学副教授
报告嘉宾：吴 彤--安森美首席SiC 专家
报告嘉宾：吴 亮--奥趋光电CEO
报告嘉宾：张保平--厦门大学电子科学与技术学院 副院长、教授
报告嘉宾：蔚 翠--中电科第十三研究所研究员
报告嘉宾：左 超--爱发科商贸（上海）有限公司电子营业部部长
报告嘉宾：王祁玉--益丰电子副总经理
报告嘉宾：袁 理--青岛聚能创芯微电子有限公司
报告嘉宾：刘 雯--西交利物浦大学副教授
报告嘉宾：英诺赛科科技股份有限公司
报告嘉宾：彭 燕--南砂晶圆研发中心主任，山东大学副教授
报告嘉宾：叶念慈--三安集成技术市场总监
报告嘉宾：童吉楚--乾照激光副总经理
报告嘉宾：向鹏博士--苏州晶湛半导体有限公司研发经理
报告嘉宾：杨学林--北京大学物理学院高级工程师
主题报告：Si衬底上GaN基电子材料外延生长技术研究进展
报告嘉宾：徐尉宗--南京大学研究员
主题报告：面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术
报告嘉宾：郭宇锋--南京邮电大学副校长、教授
主题报告：Off-state Characterization of AlGaN/GaN HEMT via Artificial Neural Network
更多报告嘉宾正在确认中！！！
1、9月13日报告（陆续更新中）
报告嘉宾：于坤山 第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长
主题报告：中国功率与射频技术市场现状及未来展望
报告嘉宾：陈堂胜--中国电科首席科学家/微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室主任
主题报告：低温键合金刚石GaN HEMT微波功率器件
报告嘉宾：陈敦军--南京大学电子科学与工程学院副院长、教授
主题报告：GaN功率开关器件及其高频电源应用
报告嘉宾：刘斯扬--东南大学教授
主题报告：SiC功率MOSFET器件可靠性研究进展
报告嘉宾：龙世兵--中国科学技术大学微电子学院执行院长
主题报告：SiC功率MOSFET器件可靠性研究进展
报告嘉宾：龙世兵--中国科学技术大学微电子学院执行院长
主题报告：低成本高性能氧化镓功率器件
报告嘉宾：Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
主题报告：Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective
报告嘉宾：Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
主题报告：Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective
报告嘉宾：戴小平-湖南国芯科技总经理
主题报告：浅析SiC模块封装技术
报告嘉宾：Yuhao Zhang 美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统中心助理研究员
主题报告：1.2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit
报告嘉宾：Yuhao Zhang 美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统中心助理研究员
主题报告：1.2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit
报告嘉宾：龚平--西安唐晶量子科技有限公司董事长
主题报告：6 inch GaAs 基 VCSEL 和 射频外延技术
报告嘉宾：纽应喜--启迪半导体研发总监
主题报告：碳化硅外延装备及技术进展
报告嘉宾：张 云--天津大学电气自动化与信息工程学院教授
主题报告：新能源汽车电力电子系统及其运行控制
2、9月14日报告（陆续更新中）
报告嘉宾：程新红--中科院上海微系统研究所研究员
主题报告：SOI基GaN材料及功率器件集成技术
报告嘉宾：邓小川--电子科技大学教授
主题报告：极端应力下碳化硅功率MOSFET的动态可靠性研究
报告嘉宾：惠 峰--云南锗业公司首席科学家/中科院半导体所研究员
主题报告：VCSEL用六英寸超低位错密度砷化镓单晶片研制及应用
报告嘉宾：陈 鹏--南京大学教授
主题报告：GaN肖特基功率器件新进展
报告嘉宾：Yuhao Zhang 美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统中心助理教授
主题报告：Packaging Enabled Thermal Management of Ga2O3 Devices
报告嘉宾：倪炜江--安徽芯塔电子科技有限公司 总经理
主题报告：高性能高压碳化硅功率器件设计与技术
报告嘉宾：李 强--西安交通大学副教授
主题报告：基于HBN 的射频器件
报告嘉宾：吴 彤--安森美首席SiC 专家
主题报告：Adopt of SiC devices in EV applications
报告嘉宾：吴 亮--奥趋光电CEO
主题报告：AlN/AlScN材料制备技术及其在5GRFFE滤波及功率器件等领域应用前景展望
报告嘉宾：张保平--厦门大学电子科学与技术学院 副院长、教授
主题报告：氮化镓基VCSEL技术进展
报告嘉宾：蔚 翠--中电科第十三研究所研究员
主题报告：金刚石微波功率器件研究
报告嘉宾：左 超--爱发科商贸（上海）有限公司电子营业部部长
主题报告：量产高性能功率与射频器件的ULVAC装备技术
报告嘉宾：裴轶/Amgad Alsman--苏州能讯高能半导体有限公司技术副总裁/中国科学技术大学
主题报告：基于物理的5G射频GaN 晶体管模型、趋势和挑战
报告嘉宾：王祁玉--益丰电子副总经理
主题报告：射频器件（TBD）
报告嘉宾：袁 理--青岛聚能创芯微电子有限公司
主题报告：面向快充应用的GaN材料和器件技术
报告嘉宾：刘 雯--西交利物浦大学副教授
主题报告：硅基GaN MIS-HEMT 单片集成技术
报告嘉宾：黄润华--中电科五十五所副主任设计师
主题报告：碳化硅MOSFET技术问题及55所产品开发进展
报告嘉宾：黄润华--中电科五十五所副主任设计师
主题报告：碳化硅MOSFET技术问题及55所产品开发进展
报告嘉宾：英诺赛科科技股份有限公司
主题报告：八英寸硅基氮化镓技术进展（TBD）
报告嘉宾：叶建东--南京大学教授
主题报告：氧化镓基双极型异质结功率器件研究
主题报告：氧化镓基双极型异质结功率器件研究
报告嘉宾：彭 燕--南砂晶圆研发中心主任，山东大学副教授
主题报告：碳化硅与金刚石单晶衬底技术与产业化研究
报告嘉宾：叶念慈--三安集成技术市场总监
主题报告：（TBD）
报告嘉宾：童吉楚--乾照激光副总经理
主题报告：VCSEL 技术 (TBD)
报告嘉宾：向鹏博士--苏州晶湛半导体有限公司研发经理
主题报告：用于新型GaN功率器件的外延技术进展
报告嘉宾：杨学林--北京大学物理学院高级工程师
主题报告：Si衬底上GaN基电子材料外延生长技术研究进展
报告嘉宾：Yuhao Zhang 美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统中心助理教授
主题报告：Ruggedness of SiC MOSFETs and GaN HEMTs in Overvoltage Switching
报告嘉宾：徐尉宗--南京大学研究员
主题报告：面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术
报告嘉宾：郭宇锋--南京邮电大学副校长、教授
主题报告：Off-state Characterization of AlGaN/GaN HEMT via Artificial Neural Network
报告嘉宾：樊嘉杰--复旦大学青年研究员
主题报告：SiC功率器件先进封装材料及可靠性优化设计
更多报告嘉宾正在确认中！！！
【拟参与单位】华为、中兴、南京大学、三安光电、东南大学、英诺赛科、锴威特、泰科天润、基本半导体、捷捷微电、中微公司、苏州纳维、厦门大学、南砂晶圆、瀚天天成、苏州晶湛、云南锗业、Crosslight、英飞凌、GaNPower、安森美、许继电气、中车时代、国家电网、中芯集成、华润微电子、南大光电、AIXTRON、中电科五十五所、中电科十三所 西安电子科技大学、江苏能华、西安交通大学、北京大学，电子科技大学，河北同光、山东天岳、天津大学、聚能创芯，赛微电子，南京百识，唐晶量子，天科合达，汉骅半导体，南京百识，大族激光，德仪，江苏三代半研究院等
【投稿】Oral或Poster ：500字左右扩展摘要提交到 1957340190@qq.com。
【参会注册 】注册费 2000 （会议资料，招待晚宴，自助餐）
开户行：中国银行北京科技会展中心支行
账 号：336 356 029 261
名 称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
【参会/赞助/商务合作】
联系人：贾先生18310277858，jiaxl@casmita.com
联系人：贾先生18310277858，jiaxl@casmita.com
张小姐13681329411，zhangww@casmita.com
如果您想参会，可以直接扫码预报名，我们会第一时间和您联系！
协议酒店：城市名人酒店（协议价400，含早）
联系人：王玮18652978537，648231476@qq.com
防疫提示：会务组最新咨询南京市卫健委并得到答复，目前南京市全域均为低风险区，进出南京不需要核酸检测证明，只要14天内没去过中高风险区和出入境经历，体温无异常情况下，均可持绿码进出南京参加会议。
联系人：王玮18652978537，648231476@qq.com
防疫提示：会务组最新咨询南京市卫健委并得到答复，目前南京市全域均为低风险区，进出南京不需要核酸检测证明，只要14天内没去过中高风险区和出入境经历，体温无异常情况下，均可持绿码进出南京参加会议。
