中科院上海微系统所程新红研究员将出席南京功率与射频应用峰会，将带来“SOI基GaN材料及功率器件集成技术进展”

Si基GaN外延技术是实现大面积、低成本GaN外延片的主要技术，相对于GaN-on-Si而言，GaN-on-SOI技术在材料、集成与成本方面均具有显著优势。

 

其中，从材料角度，采用GaN-on-SOI技术，SOI BOX层的介质隔离可完全避免Si衬底漏电通道产生，且可抑制高压下垂直方向的电学击穿。

 

集成角度，采用GaN-on-SOI技术实现功率器件、驱动器和控制逻辑的电流隔离，可避免诸多负面效应。若更进一步，通过设计用于驱动高边开关的共同集成电压转换器，避免（重叠栅极输入波形的）死区时间控制器以及（片上脉冲宽度）调制电路，可以制造高度集成的降压和升压转换器。

 

成本角度，采用GaN-on-SOI技术，包括驱动器和模拟模块等在内的完整转换器可片上集成，且可采用简单的封装技术封装（因为频率敏感元件已经在芯片上连接），这大大节省了最终电力系统的成本。

2021年9月13-14日“2021中国（南京）功率与射频半导体技术市场应用峰会（CASICON 2021）”将在南京召开。会议围绕碳化硅、氮化镓、砷化镓、氧化镓、金刚石等材料在电力电子、5G射频领域的技术进展与创新应用，助推相关领域市场产品国产化替代。

 

会上，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员程新红将带来“SOI基GaN材料及功率器件集成技术”的精彩报告，其中，将详细分享最新的成果，以及该技术优势的实现方式等内容，值得期待。

 

更多详细报告内容，敬请关注峰会，也欢迎相关领域专家、学者、行业企事业单位参会交流，共商合作事宜。

 

 

程新红，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员，九三学社上海微系统所支社主委。1992年毕业于吉林大学物理系获得学士学位，1997年毕业于中科院金属研究所获得硕士学位，2005年毕业于中科院上海微系统与信息技术研究所获得博士学位。主要从事功率技术开发以及汽车电子专用芯片研发。

针对宽禁带半导体功率器件GaN HEMT开展系列工作，尤其侧重HEMT器件界面高介电常数介质生长和钝化、以及电流崩塌效应抑制；开发出1700 V SiC RG-MOS和1200 V SiC JBS器件；针对汽车电子通讯接口芯片CAN\LIN，以及电动汽车用电池监控芯片（BMS）开展研发工作，力争实现关键芯片国产化；与无锡华润上华半导体公司（CSMC）合作开发薄膜SOI功率器件结构和工艺，技术转移到CSMC形成0.5 μm 薄膜 SOI高压 BCD技术平台，成功研制出600V SOI高压器件LDMOS/LIGBT，器件开态电阻和击穿电压达到了SOI BCD 技术始祖NXP公司的同类产品水平，基于这套SOI BCD技术，客户已经开发LED驱动等电路，并且实现量产。

作为项目负责人承担国家科技重大专项、国家自然基金面上项目、中科院项目、上海市科技创新项目等，在IEEE Transactions on Power Electronics, IEEE  Transactions on  Electron Devices和IEEE Electron Devices等期刊上发表60余篇学术论文，授权30余项国内发明专利，3项PCT专利。