确认！美国弗吉尼亚理工大学电力电子研究中心助理教授张宇昊将分享三大主题报告，期待9月13-14日南京功率与射频半导体峰会见！

 

张宇昊 博士

美国弗吉尼亚理工大学电力电子研究中心助理教授

 

张宇昊现在是美国弗吉尼亚理工大学电力电子研究中心(Center for Power Electronics Systems, CPES)助理教授，并领导该中心的器件和功率半导体研究。该中心由FredLee创立，现得到超过80家公司的资助，拥有电力电子领域基于高校的最大的产业联盟之一。

 

张宇昊于2013年和2017年在麻省理工学院分别获得硕士及博士学位，并于2011年在北京大学物理系获得本科学位。其研究兴趣包括功率器件、宽禁带和超宽禁带半导体材料、器件封装、以及电力电子应用。张宇昊已发表文章90余篇，涵盖多个领域（IEDM, EDL, APL, T-PEL, JESTPE, APEC, IRPS, Nature等），并有4个已经授权的美国专利。

 

张宇昊获得2017年麻省理工学院Microsystems Technology Laboratories最佳博士论文奖、2019年IEEE George Smith Award (IEEE EDL年度最佳论文奖)、2020年IEDM Conference Highlight荣誉、2021年美国National Science Foundation CAREER奖、2021年弗吉尼亚理工优秀助理教授奖。其博士生获得2021 APEC最佳报告奖、2021 IEEE Power Electronics Society最佳博士论文奖等奖项。其工作被Nature Electronics, Semiconductor Today, Compound Semiconductor Magazine等媒体报道50余次。

 

本次张宇昊博士能出席“2021中国（南京）功率与射频半导体技术市场应用峰会”确实机会难得，组委会沟通后，张宇昊博士将一连分享三个主题报告，报告主题如下：

 

 

简介：在电力电子系统中，负载端的浪涌能量以及串联开关的电压分配不均常常造成器件在开关过程中承受超过额定电压的瞬态过压。功率器件在开关过程中承受反复瞬态过压的能力是其鲁棒性的关键指标之一。本工作创新性地研究了商用碳化硅和氮化镓器件在反复过压开关中的鲁棒性，包括失效和老化过程及机理。

 

 

简介：近些年来，氮化镓成为了主流的功率半导体之一。氮化镓高电子迁移率晶体管已经实现了15 V到650 V电压等级的商用化。然而，对于650 V到10 kV的中高压电力电子应用（电动汽车动力系统，电网，新能源，高铁等），人们常常认为碳化硅相比于氮化镓更有优势。我们近期关于高压氮化镓功率器件的研究结果推翻了这一观点。

 

 

简介：氧化镓是一种新兴的超宽禁带半导体材料，其晶圆已实现大面积商业化生产。因而近来，氧化镓功率器件受到了极大的关注。当前，氧化镓器件所面临的最大的挑战之一是氧化镓材料极低的电阻率（碳化硅的1/20）以及所导致的器件功率密度的限制。另外一方面，作为通向应用的必经之路，大电流氧化镓器件的制备、封装和应用还极少有报道。我们近期首次实现了大面积氧化镓器件的制成和封装，并首次报道了大电流、封装的氧化镓器件的稳态和瞬态热学性能。我们制备了大电流垂直结构氧化镓肖特基二极管，并采用了基于银烧结的双面封装技术。

 

至此，会务组也诚挚欢迎相关领域的专家、学者、行业企事业单位能参会与张宇昊博士多多交流！更多会议资料请往下查看：