今日动态 | 第三代半导体持续升温！三星、芯导科技、宏光照明、西部数据、富士电机、华灿光电、镓未来、京创先进等动态

半导体产业网根据公开消息整理：三星、芯导科技、宏光照明、西部数据、富士电机、华灿光电、镓未来、京创先进、安森美等公司近期最新动态，以及行业动态如下（仅供参考）：

 

 

当前，国际上第三代半导体材料、器件已实现了从研发到规模性量产的成功跨越，并进入产业化快速发展阶段。“十四五”时期，将成为我国第三代半导体产业发展的关键窗口期，对我国能否建立长期战略优势至关重要。

 

8月24日，工信部在官网表示，下一步将以重大关键技术突破和创新应用需求为主攻方向，进一步强化产业政策引导，将碳基材料纳入“十四五”原材料工业相关发展规划，并将碳化硅复合材料、碳基复合材料等纳入“十四五”产业科技创新相关发展规划，以全面突破关键核心技术，攻克“卡脖子”品种，提高碳基新材料等产品质量，推进产业基础高级化、产业链现代化。此消息一出，进而引发市场对于以碳基材料等第三代半导体产业发展的广泛关注。

 

 

工信部8月25日表示，将组织有关标准研究机构适时开展钠离子电池标准制定，引导产业健康有序发展。工信部表示，近几年钠离子电池逐步进入规模化试验示范阶段。钠离子电池产业化目前尚存能量密度较低、循环寿命较短、配套供应链与产业链不完善等问题，仍处于商业化探索和持续改进中。随着产业投入的加大，技术走向成熟，产业链逐步完善，高性价比的钠离子电池有望成为锂离子电池的重要补充，尤其是在固定式储能领域将具有良好发展前景。

 

工信部表示，将做好顶层设计，健全产业政策，统筹引导钠离子电池产业高质量发展。科技部将在“十四五”期间实施“储能与智能电网技术”重点专项，并将钠离子电池技术列为子任务，进一步推动钠离子电池的规模化、低成本化，提升综合性能。

 

 

8月24日，三星电子宣布未来三年将投资240万亿韩元（约合2056.4亿美元，约相当于1.33万亿元人民币）投入生物制药、人工智能、半导体、电信和机器人等领域，这是该公司继2018年180万亿韩元后的又一大手笔投资。据报道，公司目前账上约有200万亿韩元的现金或现金等价物，“不差钱”的三星表示将“积极进行大型收购交易，以巩固公司目标业务中的领导地位。”芯片供不应求的情况持续已久，即使全球巨头制造商们开足马力投资扩产的情况下，主要生产地受疫情影响导致芯片价格仍然居高不下。受益于此，今年上半年海内外相关公司经营情况大幅好转，同时还带动了公司股价和行业基金业绩增幅可观，更有坚守芯片半导体的明星基金经理再度“扬眉吐气”。

 

但投资切忌盲目，正如业内人士所言，每一种不同芯片的供需约束条件截然不同。整体“芯片荒”下仍有部分产品有库存过剩的隐忧，行业在全球投资热潮下也暗藏未来供大于求的风险，更有外媒刊文警示：“一旦市场降温，在繁荣时期积累的过剩产能将给制造商带来负担。”

 

 

8月25日晚，上交所发布科创板上市委会议审议结果，上海芯导电子科技股份有限公司（以下简称“芯导科技”）科创板首发获通过，这意味着芯导科技距离成功登陆科创板再进一步。据悉，芯导科技由国元证券保荐，拟融资金额为4.44亿元，本次募集资金在扣除相关发行费用后拟用于高性能分立功率器件开发和升级、高性能数模混合电源管理芯片开发及产业化、硅基氮化镓高电子迁移率功率器件开发项目及研发中心建设项目。芯导科技表示，未来公司将专注于功率半导体的研发及销售，落实品牌建设与资本运作相结合的战略，通过全面提升业务规模、技术与产品创新能力、市场开拓力度以及完善法人治理结构等方式，进一步强化公司的核心竞争能力，致力成为国内外功率半导体领域的知名品牌。

 

 

宏光照明(06908.HK)公告，公司的全资附属公司Fast Semi HoldingLtd.已投资VisIC Technologies Limited("目标公司"，为半导体领域第三代氮化镓设备的龙头企业之一)。根据购股协议，附属公司同意认购目标公司1,749,961股股份，约占目标公司经扩大已发行股本之21.86%，代价约2500万美元。根据购股协议之条款，投资已于2021年8月23日顺利完成。目标公司为一家根据以色列国法律组建的公司，主要从事Ga N相关产品的开发，包括大功率晶体管及模组。据董事所深知，目标公司对GaN技术有深入的了解，并拥有数十年的GaN产品经验，且已申请与GaN技术有关的若干关键专利。董事认为，目标公司的技术及产品可广泛应用于电能转换、快充产品及功率元件等应用领域。

 

200亿美元！西部数据拟并购全球第二大闪存芯片厂商铠侠

 

据一位知情人士称，西部数据公司（WDC.O）正在与日本半导体公司铠侠（Kioxia Holdings Corp）就可能的并购事宜进行早期洽谈，交易规模可能超过 200 亿美元。该人士称，这两家公司最早可能在9月中旬达成协议，西部数据首席执行官David Goeckeler将管理合并后的公司。铠侠是一家总部位于日本东京都的电脑内存制造商，也是全球第二大 NAND 内存厂商，铠侠的前身是东芝存储器，2018年被东芝公司(6502.T)以180亿美元的价格出售给由美国私募股权公司贝恩资本牵头的财团。根据其2020年的年度报告，东芝仍然拥有Kioxia约40.6%的股份。该并购案对全球芯片行业将有深远的影响。在新的智能手机型号发布和5G扩展的推动下，存储芯片制造商看到了强劲的需求。NAND内存市场由五家公司主导，如果西部数据和Kioxia合作，将看到进一步的整合。通过联手，两家公司可以降低成本，更好地与三星电子有限公司竞争，不过这样的交易预计会引起反垄断审查，包括来自中国的批准。

 

据日经报道，日本富士电机将额外投资 400 亿日元（3.65 亿美元），以扩大功率半导体的生产，这些半导体用于管理空调、电动汽车等的电流。400 亿日元是富士电机在 2022 财年之前的四年中指定的1200 亿日元的基础上，从 2023 财年的原始时间框架上调，以满足意外的强劲需求。大约 250 亿日元的额外资金将用于在该公司的马来西亚工厂开始生产 8 英寸硅片，这将比之前在那里生产的 6 英寸硅片的制造效率更高。但富士电机没有提供有关产能的详细信息。该公司计划在 2023 财年左右开始在马来西亚生产功率半导体，使用上个月硬盘媒体生产停止后腾出的洁净室和其他设施。剩余的 150 亿日元将用于其他地方的扩张，包括公司在日本的松本工厂。该领域的销售额预计将超过公司的中期目标。

 

富士电机预计，包括功率半导体在内的这一领域的销售额将从 2018 财年增长 53%，到 2023 财年（其五年计划的最后一年）将增长53%。现有计划的目标是该部门的销售额为 2000 亿日元，其中 250 亿日元来自公司退出的磁盘业务。

 

 

近日，专注于第三代半导体氮化镓技术研发应用的珠海镓未来科技（以下简称“镓未来”）宣布获得数千万元A轮融资。本轮投资由珠海科创投领投，大横琴创新发展有限公司、礼达基金跟投。境成资本作为天使轮领投方，本轮继续追加投资。资料显示，镓未来成立于2020年10月，致力于提供从30W到10KW的氮化镓器件及系统设计解决方案。公司致力于第三代半导体GaN-on-Si器件技术创新和领先，通过高起点、强队伍等，实现GaN技术的国产化，推动GaN器件的技术的世界领先，并且通过电源系统的创新设计，实现能源的绿色、高效利用。

 

 

华灿光电在互动平台表示，公司依托在LED芯片化合物半导体方面十几年的技术积累，拥有高效的氮化镓器件开发团队、氮化镓器件工艺技术及研发阶段的设备基础。目前，公司氮化镓基电力电子器件团队已攻克相关技术及工艺难点，在多项关键工艺的单项试验已获得突破性进展。市场方面，已与多个终端客户公司开展氮化镓电力电子器件等应用领域的合作。

 

 

半导体精密划切设备研制企业江苏京创先进电子科技有限公司（以下简称“京创先进”）宣布完成超亿元B轮融资，由中芯聚源领投，盛宇投资、汇川技术、俱成投资、长江国弘跟投，老股东毅达资本、金浦新潮继续加码。本轮融资将主要用于新技术攻关、新产品研制、全自动产品产能扩充及市场推广等方面。京创先进成立于2013年，是一家专业从事半导体精密划切设备研发、生产、销售及服务的高新技术企业。公司创始团队的核心人员均已深耕行业20余年，有着过硬的相关技术和经验，同时也深知精密切割设备被国外垄断的局面，团队秉承技术的传承性和创新性，不断突破创新，瞄准终端客户对设备的产能和整机稳定性重视的这一方向，致力开拓助推晶圆划片设备细分领域的国产化进程。

 

 

8月26日消息，智能电源和传感技术的领先供应商安森美（Onsemi）和碳化硅生产商GT Advanced Technologies（“GTAT”）今天宣布，他们双方已达成最终协议，根据该协议，Onsemi将以 4.15 亿美元现金收购 GTAT。

 

预计该交易将更好地定位Onsemi，以确保和增加 SiC 的供应，并满足客户对可持续生态系统中基于 SiC 的解决方案快速增长的需求，包括电动汽车、电动汽车充电和能源基础设施。随着可持续生态系统在未来十年迅速发展，将onsemi的制造能力与 GTAT 的技术专长相结合，将加速 SiC 的开发并让onsemi更好地为客户服务。这种增强的 SiC 能力将使onsemi能够向客户保证关键组件的供应，并进一步将智能电源技术商业化。

 

 

近日，浙江大学杭州国际科创中心成功获得首批氧化镓单晶衬底，这是继去年获得体块氧化镓单晶之后取得的又一个重要进展，标志着科创中心在材料加工领域具备高水平研究的能力。这批氧化镓单晶衬底由科创中心先进半导体研究院半导体材料研究室研制，导电类型为半绝缘型，尺寸达到25.4 mm，厚度约800 μm，表面粗糙度小于0.5 nm，高分辨X射线摇摆曲线测试测得半高峰宽为47.5 arcsec，衍射峰均匀对称，单晶质量较好。以上关键技术指标已经达到了领域内的先进水平。