动态|微芯长江碳化硅项目主体封顶！华微电子布局第三代半导体，北方华创、赛微电子、鸿海、英特尔、中芯国际FinFET 工艺达产..

·北方华创、赛微电子等组建，北京一工程研究中心获批，涉及先进MEMS工艺研发

·鸿海25.2亿元新台币收购旺宏六寸晶圆厂厂房及设备

·安徽微芯长江碳化硅项目主体封顶，可年产12万片6英寸碳化硅晶圆片

·华微电子：公司正在积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件技术

·受全球影响，台积电16nm以上制程芯片价格上涨

·英特尔晶圆厂选址或月底公布，未来十年将提升美欧制造份额

·比亚迪合肥年产40万辆新能源汽车高端核心零部件项目完成备案

·民营晶圆代工企业浙江宁波荣芯半导体获得战略投资

·晶瑞股份拟投建5万吨NMP扩建项目

·2021新一代充电技术及产业链创新合作论坛将于9月2日召开

·中芯国际：FinFET 工艺已经达产，每月 1.5 万片

 

 

近日，由北京海创微芯科技有限公司牵头，联合北京赛莱克斯国际科技有限公司、北方华创微电子装备有限公司、北京中科赛微电子科技有限公司组建的先进MEMS工艺设计与服务北京市工程研究中心正式获得北京市发改委批复。

 

图片该中心针对我国MEMS工艺制造起步晚、能力不足的瓶颈问题，联合产业链上下游企业和科研院所等机构，围绕MEMS器件制造关键工艺和工程化实现的核心技术，将通过搭建先进MEMS工艺研发体系、打造中试公共服务中心、引进吸收国际先进MEMS代工技术、培养MEMS工艺和设备制造人才等路径来填补产业创新各环节间的脱节与断层，形成有效的自主创新机制，形成产品需求到能力建设再到推动行业发展的良性循环，吸引一批MEMS产品设计公司在北京聚集，实现6英寸MEMS产品中试到8英寸MEMS产品量产的连贯衔接，整合各方资源协同发展北京市智能传感器千亿级产业。

 

 

台湾《经济日报》8月5日消息，旺宏电子和鸿海科技集团共同举办签约仪式，旺宏电子以25.2亿元新台币将其位于新竹科学园区的六寸晶圆厂厂房及设备出售给鸿海，交易产权转移预计于2021年底前完成。

 

报道称，鸿海表示，购置旺宏六寸厂后，未来的主要产品除SiC功率元件外，也会辅以硅晶圆的产品如微机电系统MEMS等，契合鸿海发展半导体、电动车、数位健康等事业的战略需求。

 

 

8月1日，安徽微芯长江半导体材料有限公司碳化硅单晶衬底研发及产业化项目建设工程迎来了主体工程封顶。

 

去年11月19日，安徽微芯长江半导体材料有限公司成立暨建设工程奠基仪式在安徽铜陵经开区举行。

 

据当时的上海申和热磁电子有限公司消息显示，安徽微芯长江半导体材料有限公司SiC项目投资13.50亿元，占地100亩，新建厂房建筑使用面积3.2万平，包括碳化硅晶体生长车间、晶圆加工车间、研发中心、动力厂房、辅助用厂房等。项目以4&6英寸工艺兼容的自动化产线为实施要点，建设工期4年，从2020年10月起至2024年10月止，计划2021年3季度完成厂房建设和设备安装调试，2021年12月底完成中试并开始试销，达成后预计年产4英寸碳化硅晶圆片3万片、6英寸12万片。

 

安徽微芯长江半导体材料有限公司成立于2020年10月，上海申和热磁电子有限公司为其大股东，持股比例为31.4607%，公司经营范围包含：碳化硅锭、碳化硅片的销售、生产、研发，碳化硅材料及相关产品的研发、生产、销售，半导体材料的研发、生产、销售等。

 

 

8月5日，有投资者向华微电子（600360）提问， 请问：1、公司SiC和GaN研发有何进展，此类产品有何规划；2、吉林日报报道公司8英寸半导体满产满销，订单排到明年；那么4-6英寸半导体产品是否满产满销；3、IGBT3300V研发有何进展，是否进一步研发更高级别IGBT计划。

 

公司回答表示，尊敬的投资者您好 1、公司作为国内技术领先、产品种类最为齐全的功率半导体器件IDM公司，正在积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件技术。公司重点推进SiC SBD 产品和 650V GaN 器件的开发。2、关于今年上半年的产销量情况，公司将在2021年半年度报告中披露。3、公司IGBT有产能的最高电压为1350V，在研的最高电压为3300V。

 

 

8月6日，全球半导体领域数一数二的龙头企业台积电，将在今年八月份将芯片价格提高10%-15%。

 

此前，有消息称台积电受全球芯片影响售价将上调，而且还将取消了对客户的优惠，导致变相涨价数个百分点。导致今年芯片全球饥荒的因素是半导体行业对芯片趋势的误判，通常芯片会按照工艺进行区分，28nm以下的为先进制程，高于28nm的被称为成熟制程，芯片的新增产能大多都投入了先进制程，成熟制程的产能减少，是导致本次事件的主要原因。

 

据悉，台积电从 8 月起针对 16nm 以上制程订单进行调价，已经谈妥的订单价格不变，增加的部分订单将进行调整，涨幅约 10-15%。

 

台积电已经计划在今年试产 3nm 制程芯片，预计2022 年开始量产。本次芯片行业的饥荒，不知道将持续多久，如果不加速生产以后的产品供需差、价格差只会越来越大。

 

 

英特尔CEO Pat Gelsinger近日表示，该公司将在美国和欧洲建设晶圆厂，以便让全球半导体供应链更具弹性。他称，美国的建厂地点将可容纳6到8座晶圆厂，未来十年预计将投入1000亿美元。

 

据华盛顿邮报报道，Pat Gelsinger在接受线上采访时表示，一座新晶圆厂需要2-3年时间才能开始运营，而一座大型先进工厂则需要近4年时间。因此市场重回供需平衡还需要很长时间。“我相信今年下半年（半导体短缺）问题可能会触底，但糟糕的是，我认为我们仍将忙于这一问题，直到在明年达到适当的供需平衡。”

 

Pat Gelsinger表示，英特尔正将目光放在整个美国地区。新厂选址将拥有非常大的面积，可以容纳6到8座晶圆厂，每座晶圆厂将耗资100-150亿美元之间。在未来十年，英特尔将投入1000亿美元资金，并创造1万个直接就业岗位，带动10万人间接就业。从本质上说，英特尔计划中的大型晶圆厂（Mega-Fab）就是一座小城市。Pat Gelsinger补充说，希望在本月底之前宣布选址地点。

 

 

8月5日，据合肥市长丰县发改委的项目备案信息显示，《合肥比亚迪汽车有限公司合肥比亚迪汽车及零部件厂房建设项目》以及《合法比亚迪汽车有限公司合法比亚迪新能源汽车高端核心零部件项目》目前已完成备案。

 

该项目占地约3918亩，新建厂房26幢、消防水泵房及地下水池3个、综合站房2幢、油库、110KV电站、发车大棚、发运中心、危废仓2个、危化仓2个、废料仓2个、物流中心、综合办公楼、食堂三幢、门卫4个、招聘中心、垃圾站、26幢倒班楼、废水处理区等，共计约230万平方。

 

根据备案文件，该项目新建电机、电控、高压线束及电动总成、发动机总成、发动机气缸体、制动器总成等核心零部件生产工艺，建设厂房内公用动力设备及管路等公辅设施，购置总成装配线、压力机、焊接机等设备，项目建成后具备40万辆新能源汽车高端核心配套零部件生产能力。

 

据了解，今年7月12日，合肥比亚迪汽车有限公司成立，注册资本10亿人民币，法定代表人为何志奇，经营范围包括汽车零部件及配件制造、新能源汽车整车销售、装卸搬运、通用零部件制造、道路货物运输等。天眼查同时披露，该公司由比亚迪汽车工业有限公司全资持股。

 

 

近日，民营晶圆代工企业荣芯半导体完成战略融资，投资方为元禾控股、清控银杏创投、红杉资本中国、美团、冯源投资、民和资本。

 

据了解，荣芯半导体是一家半导体分立器件制造商，主要经营一般项目为半导体分立器件制造、集成电路芯片及产品制造、集成电路设计等。据不完全统计，荣芯半导体所属领域先进制造本年度共有180笔融资。

 

本轮投资方苏州元禾控股股份有限公司（以下简称“元禾控股”），是一家管理近千亿元基金规模的投资控股企业，业务覆盖股权投资、债权融资和投融资服务三大板块，包括了中国第一只市场化运作的股权投资母基金、江苏省首家“股权+债权”的科技小额贷款公司等。

 

 

晶瑞股份8月5日晚间公告，全资子公司晶瑞新能源拟投资建设年产1万吨γ-丁内酯(即GBL)及5万吨电子半导体级N-甲基吡咯烷酮(即NMP)扩建项目，项目总投资不超过3亿元。

 

据了解，晶瑞新能源是电子化学品生产制造商，主要产品为NMP及GBL，被广泛应用于下游的锂电池、新材料、医药等领域，核心产品NMP主要用于锂电池、半导体和显示面板的一种溶剂或清洗材料。在锂电池应用方面，一般作为正极涂布溶剂，或作为锂电池导电剂浆料溶剂；在半导体和平板显示器应用方面，NMP作为重要原材料，广泛应用于光刻胶剥离液和有机物清洗液等产品。晶瑞新能源生产的GBL主要应用于下游合成NMP等产品。

 

目前，晶瑞股份拥有2.5万吨/年NMP 生产及回收产能，子公司晶瑞新能源为三星环新（西安）动力电池在中国的唯一指定NMP供应商，此外，还是宁德时代、三菱化学等行业知名企业供应商。晶瑞新能源在高端电子级NMP的生产过程中实现一次合成精馏，大幅降低成本的同时提升产品质量。

 

对于本次扩产，晶瑞股份表示，受益于我国半导体材料及新能源汽车行业高速发展，下游客户对NMP产品需求持续增加，根据公司战略发展规划，为更好地满足客户及下游市场需求，扩大公司产品市场份额，增强公司的盈利能力，促进公司长远发展，公司拟投资建设1万吨GBL及5万吨NMP产品，有利于公司进一步扩大产品产能，缓解市场供应短缺问题，巩固公司的行业竞争地位。本项目投资建设短期内将增加公司现金及费用支出，但从长远来看对公司业务布局和经营业绩具有积极影响，符合公司及全体股东的利益。

 

 

SiC和GaN作为第三代半导体材料的先锋，以其三大特性：开关频率高、禁带宽度大、导通电阻低，使得新一代通用电源在缩小容积以及提升充电速度方面都有了长足进步。为了更好的把握时机推进新一代充电技术及产业的发展。9月2日，半导体产业网、第三代半导体产业将在“ELEXCON深圳国际电子展暨嵌入式系统展”同期举办 “2021新一代充电技术及产业链创新合作论坛”,特邀请新能源汽车充电桩及PD快充产业链相关专家及企业代表，探讨第三代半导体新一代充电技术及产业机遇与挑战。

 

深耕电子产业近30年，由博闻创意会展（深圳）有限公司主办的ELEXCON深圳国际电子展暨嵌入式系统展将于9月1-3日在深圳国际会展中心开展。2021年将展示5G、物联网、边缘AI、国产芯片、RISC-V、嵌入式系统、可穿戴技术、SiP与先进封测、自动驾驶与车联网、共享充换电技术、第三代半导体等技术新品和方案，现场举办20+场高峰论坛。届时，Informa英富曼集团将全力打造“光+电”全产业链航母旗舰大展！同期总面积达20万+，参观观众达13万+。

 

 

中芯国际发布二季度财报，2021 年第二季度的销售收入为 13.4 亿美元，同比增长 43.2%。第二季度毛利为 4.05 亿美元，同比增长 62.9%。

 

中芯国际联合首席执行官赵海军在二季度电话会议上表示，“我们的 FinFET 工艺已经达产，每月 1.5 万片，客户多样化，不同的产品平台都导入了。（这部分）产能处于紧俏状态，客户不断进来。”

 

据了解，前不久中芯国际吴金刚博士宣布离职。吴金刚博士担任中芯国际研发副总裁，是公司五大核心人才之一，参与了 FinFET 工艺研发。此前吴金刚博士离职时，中芯国际发表公告，表示离职后，吴金刚博士不再担任公司任何职务。目前公司的技术研发工作均正常进行，吴金刚博士的离职未对公司整体研发实力产生重大不利影响。

 

目前，台积电、三星在 5nm/7nm 工艺段都采用 FinFET 结构，而在下一世代 3nm 工艺的晶体管结构选择上，两者出现分歧。三星选择采用 GAA 结构，台积电则出于稳健考虑，选择在第一代 3nm 工艺继续沿用 FinFET 技术。

 

近日，三星代工厂流片了基于环栅 (GAA) 晶体管架构的 3nm 芯片，通过使用纳米片（Nanosheet）制造出了 MBCFET（多桥通道场效应管），可显着增强晶体管性能，主要取代 FinFET 晶体管技术。三星执行副总裁兼代工销售和营销主管 Charlie Bae 表示：“基于 GAA 结构的下一代工艺节点（3nm）将使三星能够率先打开一个新的智能互联世界，同时加强我们的技术领先地位”。

 

分析称，2nm 或将是 FinFET 结构全面过渡到 GAA 结构的技术节点。在经历了 Planar FET、FinFET 后，晶体管结构将整体过渡到 GAAFET 结构上。根据国际器件和系统路线图（IRDS）的规划，在 2021-2022 年以后，FinFET 结构将逐步被 GAA 结构所取代。