华微电子:公司正在积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件技术

日期:2021-08-06 来源:半导体产业网阅读:493
核心提示:8月5日,有投资者向华微电子(600360)提问, 请问: 1、公司SiC和GaN研发有何进展,此类产品有何规划; 2、吉林日报报道公司8英
 8月5日,有投资者向华微电子(600360)提问, 请问: 1、公司SiC和GaN研发有何进展,此类产品有何规划; 2、吉林日报报道公司8英寸半导体满产满销,订单排到明年;那么4-6英寸半导体产品是否满产满销; 3、IGBT3300V研发有何进展,是否进一步研发更高级别IGBT计划。
 
公司回答表示,尊敬的投资者您好 1、公司作为国内技术领先、产品种类最为齐全的功率半导体器件IDM公司,正在积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件技术。公司重点推进SiC SBD 产品和 650V GaN 器件的开发。2、关于今年上半年的产销量情况,公司将在2021年半年度报告中披露。3、公司IGBT有产能的最高电压为1350V,在研的最高电压为3300V。
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