8月2日，据美国商业资讯（businesswire）报道，高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的领先供应商Transphorm宣布成功收购了AFSW晶圆厂100%权益。 位于日本会津若松的AFSW晶圆厂 这笔交易标志着Transphorm以及AFSW晶圆厂向前迈出了重要的一步，该工厂之前是与位于日本会津若松的富士通半导体有限公司(FSL)的合资企业，也是全球领先的高压GaN功率半导体晶圆制造工厂。
根据Transphorm的官方公告，这笔交易是通过GaNovation公司完成的，GaNovation是Transphorm与JCP Capital最近成立的合资公司。 据报道，交易完成之后，富士通半导体宣布从AFSW晶圆厂退出。 Transphorm在收购完成后，拥有的AFSW的实际股权将为25%，低于之前的49%。这将使Transphorm对AFSW的直接资本支出减少约50%，从而通过对GaN技术和应用的投资实现更高效的损益。
此外，与JCP Capital的合作为AFSW增加了一个重要的战略财务合作伙伴，这种过渡对于Transphorm的客户以及AFSW晶圆厂的现有团队和运营来说可以可以做到并购的无缝衔接。JCP Capital创始人兼管理合伙人David Cong表示：“我们很高兴与AFSW的Transphorm及其新的母公司GaNovation合作，未来几年，GaNovation不仅将为全球首屈一指的GaN功率晶圆厂AFSW带来大量资金以扩大GaN晶圆制造，而且还将有助于以更快的速度与我们的投资组合生态系统一起发展GaN产品业务，尤其是在基于GaN的快速充电器和适配器领域。”
Transphorm的联合创始人兼总裁Primit Parikh表示：“与GaNovation和JCP Capital的合作是Transphorm制造其最高质量、最高可靠性的GaN晶圆的理想图景，可以拓展我们的垂直轻资产的强大IP优势。富士通半导体（FSL）和AFSW一直与Transphorm和JCP Capital团队密切合作，Transphorm在GaN方面的卓越表现，加上JCP Capital带来的财务实力是AFSW成为持续成功的动力”。
FSL总裁兼代表董事Kagemasa Magaribuchi评论：“FSL还将在双方商定的时间内通过过渡服务继续与AFSW合作。” Transphorm是一家主打高压功率转换应用设计和制造高性能和高可靠性的GaN半导体企业。Transphorm在该领域拥有1000多项许可专利，生产过业界首款符合JEDEC和AEC-Q101标准的高压GaN半导体器件。
