日前，南大光电公告披露，公司作为牵头单位，承担的国家科技重大专项（02专项）“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”之“先进光刻胶产品开发与产业化”项目（以下简称“项目”），今日收到极大规模集成电路制造装备及成套工艺实践管理办公室下发的项目综合绩效评价结论书，项目通过了专家组验收。
据介绍，项目总体目标是开发高端集成电路制造用ArF干式与浸没式光刻胶成套工艺技术，形成规模化生产能力；构建与集成电路行业国际先进水平接轨的技术和管理人才团队，建立完善的技术开发、生产运行、品质管理、市场开拓运行体系和ArF光刻胶产业自主发展相应的知识产权体系。
该项目分为三个子课题，其中公司控股子公司宁波南大光电承接的课题名为：ArF光刻胶产品的开发和产业化。该子课题主要在以下方面开展研究：1、ArF光刻胶产品配方及工艺的开发；2、配方关键组分材料的开发；3、ArF光刻胶产品及关键组分的分析测试能力的研究；4、ArF光刻胶的产业化研究。
公告指出，专家组同意项目通过绩效评价验收。验收专家组认为：1、光刻胶是集成电路生产过程中的关键材料，通过本项目的实施，掌握了ArF干式和浸没式系列光刻胶产品的原材料制备、配胶、分析检测、应用验证等关键技术，在知识产权和人才培养等方面取得重要进展。形成了由51人组成的ArF光刻胶研发与生产管理团队，建成了ArF光刻胶产品（包括干式和浸没式）的质量控制平台、年产5吨的干式ArF光刻胶及年产20吨的浸没式ArF光刻胶产业化生产线；建立了科研经费管理相关的财务制度，并能有效执行；申请专利91项，其中国内发明专利81项，国际发明专利4项，实用新型专利6项（已授权），制定团体标准3项，研制新产品2项；实现ArF光刻胶产品销售，完成了任务合同书规定的主要考核指标。这是我国集成电路关键材料自主创新的一个重要成果。
2、宁波南大光电已建成年产25吨ArF光刻胶产业化基地，具备进一步扩大生产的能力，建议抓住机遇，尽快扩产。
南大光电表示，ArF光刻胶材料是集成电路制造领域的重要关键材料，可以用于90nm-14nm甚至7nm技术节点的集成电路制造工艺，广泛应用于高端芯片制造（如逻辑芯片、存储芯片、AI芯片、5G芯片和云计算芯片等）。长期以来，国内高端光刻胶市场长期为国外巨头所垄断，对我国芯片制造具有“卡脖子”风险。尽快实现先进光刻胶材料的全面国产化和产业化具有十分重要的战略意义和经济价值。本项目研发任务的圆满完成，预计将对公司光刻胶事业的未来发展产生积极影响。
