日前有外媒爆料称，美国国会部分议员已于当地时间12日致信美国商务部部长，指控长江存储为军方关联企业，要求将长江存储列入“实体清单”。今日晚间，长江存储发表声明称，公司成立以来合法合规经营，产品与服务均为面向商用及民用市场。
长江存储表示：
第一，公司自成立至今，始终秉承守法合规的经营理念。在国内外各项业务中，长江存储严格遵守所在地法律法规；
第二，长江存储所提供的产品与服务均为面向商用及民用市场；
第三，长江存储遵守WTO公平贸易原则，专注于技术自主研发并充分尊重第三方的知识产权；
第四，目前长江存储生产经营各项业务均在上述原则基础上正常开展。
资料显示，长江存储成立于2016年7月，是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。公司由紫光集团、国家集成电路产业投资基金、湖北省集成电路产业投资基金、湖北科投在武汉新芯的基础上组建成立。据统计，长江存储总投资约1600亿元。
依托武汉新芯已有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础，采取自主研发与国际合作双轮驱动的方式，长江存储已于2017年10月研制成功了中国第一颗3D NAND闪存芯片。而随着2018年长江存储的32层NAND Flash的量产，国产闪存芯片终于实现了重大突破。不过，由于该技术与国际主流技术相差较大，所以并未影响到市场。
2019年9月长江存储宣布，成功量产基于自研的Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND Flash。据长江存储介绍，该闪存满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求，与当时业界已上市的64/72层3D NAND闪存相比，其拥有同代产品中更高存储密度。
随后，长江存储跳过96层堆栈直接杀向128层堆栈，力求进一步缩短与三星、东芝等公司的差距。
2020年4月13日，长江存储宣布其128层QLC 3D NAND 闪存（型号：X2-6070）研发成功，拥有业界最高的IO速度，最高的存储密度和最高的单颗容量，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
据介绍，长江存储X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。此次同时发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060），单颗容量512Gb(64GB)，以满足不同应用场景的需求。
2020年8月，长江存储又推出自有存储品牌“致钛”，随后推出了一系列自有品牌SSD产品。并在市场上获得了不错的表现。
截至目前长江存储已在武汉、上海、北京等地设有研发中心，全球共有员工6000余人，其中资深研发工程师约2200人。通过不懈努力和技术创新，长江存储致力于成为全球领先的NAND闪存解决方案提供商。
