五大关键词看宽禁带半导体发展

近年来，宽禁带半导体已成为全球高技术竞争战略制高点之一，国际半导体及材料领域研究和发展的热点，基于宽禁带半导体材料，半导体照明已经形成巨大规模的产业，并在电子功率器件领域继续深入发展。为推动我国宽禁带半导体领域的发展，加强各界交流与协同创新，2015年10月，中国电子学会电子材料学分会发起并主办了首届全国宽禁带半导体学术会议，会议由中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所承办。自第二届开始，会议更新为由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料学分会两家单位共同主办。广东省半导体产业技术研究院、第三代半导体产业技术创新战略联盟共同承办了第二届大会。

 

随着大会规模和影响力的不断增强，今年，“全国宽禁带半导体学术会议”迎来了第四届，定于2021年11月7-10日在美丽的鹭岛厦门举办，由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料学分会、第三代半导体产业技术创新战略联盟共同主办，厦门大学和南京大学联合承办。

 

以氮化物半导体等为代表的宽禁带半导体材料具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点，在新能源汽车、通信以及家用电器等领域发挥重要作用，有着巨大的应用前景。目前，市场火热的5G基站、新能源汽车和快充等都是第三代半导体的重要应用领域。“一代材料、一代产业”，材料生长与提升关系着诸多产业的发展，本届大会将关注氮化物半导体、氧化物半导体、碳化硅、金刚石等材料的最新进展与成果。

 

材料的物理性能随材料成分、组织结构及外界使用环境变化而变化。不同的成分的材料，制备加工工艺不同，得到的组织结构不同，可具有不同的性能。了解这些规律有助于发掘材料的最佳性能。本届会议将关注材料物性和表征技术，涉及光、电、磁、热性质、缺陷物理等的最新研究。

 

第三代半导体材料可以实现更好的电子浓度和运动控制，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件，在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。其中LED作为第三代半导体材料的第一个成功应用突破口，已经形成了巨大的产业规模，还有LD、光电探测器等诸多应用方向，

 

光电子器件、射频电子器件是第三代半导体材料的重要应用方向，射频电子器件方面，5G通信基站、雷达等推动GaN射频市场需求不断增大。新能源汽车和充电桩市场是碳化硅功率器件市场增长的重要动力。随着新能源汽车的发展，对功率半导体器件的需求量将会日益增加。电子器件及其应用也将是本届会议的重要关注方向。

 

当前，宽禁带材料与器件的研究开发呈现出日新月异的发展势态，并不断有新的成果出现，本届大会将引入更多超宽禁带半导体、二维宽禁带半导体、有机宽禁带半导体等新型宽禁带材料与器件的最新进展

 

作为国内为数不多的全国宽禁带半导体学术会议，届时国家来自国内宽禁带半导体领域学术界、产业界的专家学者、科研技术人员、院校师生、企业家代表等，将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流，促进产学研用的交流合作。深信这次会议必将对我国宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步、产业发展起到有力的推动作用。