国星光电:已完成三代半功率器件实验室及功率器件试产线建立工作

日期:2021-07-13 来源:半导体产业网阅读:310
核心提示:近日国星光电在回答投资者提问时表示,近期公司推出3大系列第三代半导体新产品,包括SiC功率器件、功率模块和GaN-DFN器件,SiC功

近日国星光电在回答投资者提问时表示,近期公司推出3大系列第三代半导体新产品,包括SiC功率器件、功率模块和GaN-DFN器件,SiC功率器件可广泛应用于大功率电源、充电桩等工业领域;GaN-DFN器件可广泛应用于新能源汽车充电、手机快充等;功率模块可广泛应用于各种变频器、逆变器的工业领域。目前公司已完成三代半功率器件实验室及功率器件试产线的建立工作,计划2021年底实现小规模量产。

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