【行业动态】SK海力士、八亿时空、英唐智控、华为、禾赛科技等动态

日期:2021-07-12 来源:半导体产业网阅读:360
核心提示:半导体产业网根据公开消息整理:SK海力士、八亿时空、英唐智控、华为、禾赛科技等公司近期最新动态,以及行业动态如下(仅供参考
半导体产业网根据公开消息整理:SK海力士、八亿时空、英唐智控、华为、禾赛科技等公司近期最新动态,以及行业动态如下(仅供参考):
 
SK海力士:7月初量产采用EUV技术的第四代10纳米级DRAM
SK海力士宣布已于7月初开始量产适用第四代10纳米(1a)级工艺的 8Gigabit(Gb)LPDDR4 移动端DRAM产品。自从10纳米级DRAM产品开始,半导体业内将每一代工艺节点都以标注英文字母的方式起名,此次SK海力士量产的1a纳米级工艺是继1x(第一代)、1y(第二代)、1z(第三代)之后的第四代工艺节点。公司的第四代10纳米(1a)级工艺的 8Gigabit(Gb) LPDDR4 移动端 DRAM(动态随机存储器)产品已经在今年7月初开始量产。这是 SK 海力士首次采用 EUV 技术进行 DRAM 产品的量产。SK 海力士预计从下半年开始向智能手机厂商供应采用 1a 纳米级技术的移动端 DRAM。
 
16.8亿元 八亿时空拟投资建浙江上虞电子材料基地项目
北京八亿时空液晶科技股份有限公司发布公告,浙江上虞电子材料基地项目由公司的全资子公司浙江八亿时空先进材料有限公司实施建设,预计总投资约 168,000 万元,其中拟使用超募资金(含利息)47,000万元向浙江八亿时空增资,不足部分由公司以自有资金或自筹资金补足。
 
新项目拟在杭州湾上虞经济技术开发区购置土地约268亩,新建合成车间、洁净车间、精馏、加氢车间、包装、库房、研发中心、分析测试中心、中控室及配套附属设施用房等建筑(构筑物)面积约19.2万平方米,采用企业自主研发的先进工艺技术,实现液晶材料、OLED 材料、聚酰亚胺(MPI 等)浆 料、平板显示用光刻胶、半导体光刻胶及半导体用光刻胶树脂等的绿色化生产。项目建成投产后,可达到液晶材料 300t/a,OLED 材料 40t/a,聚酰亚胺(MPI 等)浆料 2000t/a,平板显示用光刻胶 4000 t/a,半导体光刻胶 150 t/a,半导体用光刻胶树脂 50t/a 的生产能力。
 
英唐智控与HuLu公司签订《合作协议》 筹建 6英寸碳化硅生产线
7月9日,深圳市英唐智能控制股份有限公司与 Hulu MT. PEAK LLC签订《合作协议》,就HuLu公司协助英唐智控在国内筹建6英寸碳化硅生产线提供产线建设、设备选型规划、产品需求及工艺技术支持等内容进行了约定。
 
发力超聚变技术 华为7.7亿元成立新公司 涵盖集成电路设计业务
近日,华为新成立一家全资子公司——超聚变技术有限公司。2021年7月8月日,超聚变技术有限公司(以下简称“超聚变公司”)注册成立,注册资本7.72亿元人民币,法定代表人郑丽英,注册地址位于中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区。根据股东信息,超聚变由华为技术有限公司100%持股。据企查查资料,新成立的超聚变公司经营范围包括信息系统集成服务;计算机软硬件及外围设备制造;信息安全设备制造;通信设备制造;智能家庭网关制造;互联网设备制造;人工智能应用软件开发;人工智能理论与算法软件开发;集成电路设计;智能控制系统集成等业务。
 
禾赛科技宣布与理想汽车达成基于车规级混合固态激光雷达的合作
近日,禾赛科技宣布与理想汽车达成基于车规级混合固态激光雷达的合作。禾赛科技表示,此次合作基于禾赛最新一代高度芯片化的车规级混合固态激光雷达解决方案,双方将在乘用车激光雷达系统集成解决方案、在复杂天气和工况下激光雷达的车规级可靠性和功能安全的测试评价体系、以及基于车规标准的高度自动化制造测试体系展开一系列的合作。
 
深圳工信局公示拟资助技术改造投资项目 多项集成电路项目在列
近日,深圳市工业和信息化局公示关于2021年企业技术改造扶持计划第二批拟资助技术改造投资项目。其中,不少集成电路、半导体等项目在列。具体来看,包括深圳力迈电子有限公司的半导体功率器件智能化生产线技术改造项目、深圳米飞泰克科技有限公司的集成电路封测生产线(二期)建设、深圳市星汉激光科技股份有限公司的高功率半导体激光器COS及器件自动化封装产线技术改造、深圳市金誉半导体股份有限公司的集成电路封装测试生产线提升项目、深圳深爱半导体股份有限公司的半导体功率器件生产线升级改造等。
 
碳化硅色心自旋操控研究获重要进展 为基于碳化硅的量子器件提供发展新方向
近期,中国科学技术大学郭光灿院士团队在碳化硅色心自旋操控研究中取得重要进展。中国科大消息显示,该团队李传锋、许金时等人与匈牙利魏格纳物理研究中心Adam Gali教授合作,在国际上首次实现了单个碳化硅双空位色心电子自旋在室温环境下的高对比度读出和相干操控。该成果对发展基于碳化硅这种成熟半导体材料的量子信息技术具有重要意义。
 
据介绍,李传锋、许金时研究组利用之前所发展的离子注入制备碳化硅缺陷色心的技术[ACS Photonics 6, 1736-1743 (2019); PRL 124, 223601(2020)]制备了双空位色心阵列。进一步利用光探测磁共振技术在室温下实现单个双空位色心的自旋相干操控,并发现其中一类双空位色心(称为PL6)的自旋读出对比度为30%,而且单光子发光亮度每秒可达150k个计数。
 
这两项重要指标相比碳化硅中硅空位色心均提升了一个数量级,第一次展现了碳化硅自旋色心在室温下具有与金刚石NV色心相媲美的优良性质,并且单色心电子自旋在室温下的相干时间长达23微秒。此外,研究团队还实现了碳化硅色心中单个电子自旋与近邻核自旋的耦合与探测,为下一步构建基于碳化硅自旋色心体系的室温固态量子存储与可扩展的固态量子网络奠定基础。由于高读出对比度和高单光子发光亮度在量子信息的许多应用中至关重要,该成果为基于碳化硅的量子器件开辟了一个新的发展方向。
打赏
联系客服 投诉反馈  顶部