公司的第四代 10 纳米（1a）级工艺的 8Gigabit（Gb） LPDDR4 移动端 DRAM（动态随机存储器）产品已经在今年 7 月初开始量产。
这是 SK 海力士首次采用 EUV 技术进行 DRAM 产品的量产。SK 海力士预计从下半年开始向智能手机厂商供应采用 1a 纳米级技术的移动端 DRAM。
此次量产的产品是SK海力士首次采用EUV技术进行量产的DRAM，其意义非凡。SK海力士在此前生产1y纳米级产品过程中曾部分采用了EUV技术，事先完成了对其稳定性的验证。
工艺的极度细微化趋势使半导体厂商陆续导入EUV设备，并将其投入在晶圆上绘制电路的光刻工艺当中。业界认为采用EUV技术的水平将成为今后决定技术领导地位的重要因素。SK海力士通过此次量产确保了EUV工艺技术的稳定性，并表示未来的1a纳米级 DRAM都将采用EUV工艺进行生产。
SK海力士期待通过新产品生产效率的提升得以确保更高的成本竞争力。相较前一代1z纳米级工艺的同样规格产品，1a纳米级DRAM在每一张晶圆中可产出的产品数量约提高了25%。在今年全球DRAM需求持续增长的背景下，公司期待1a纳米级DRAM在全球存储半导体供需中扮演重要角色。
此次新产品稳定支持 LPDDR4 移动端DRAM规格的最高速度（4266Mbps），并相较前一代产品其功耗也降低了约20%. SK海力士认为此次新产品进一步强化了低功耗的优势，助力碳排放量的减少，充分体现了SK海力士注重ESG（环境、社会、公司治理）经营的精神理念。
在本次LPDDR4产品之后，SK海力士还计划从明年初开始将1a纳米级工艺导入于去年十月推出的全球首款DDR5 DRAM。
Strategy Analytics 机构最新的研究报告显示，2021 年第一季度，全球智能手机存储芯片市场总销售额达到114亿美元，同比增长 21%。其中，三星以49% 的市场份额排名第一，SK 海力士排名第二，美光位列第三。
