最近，英特尔在官网表示，他们将展示首款氮化镓 (GaN) 稳压器，其优值是硅器件的10倍，峰值效率超过94%。
这款稳压器最独特之处在于，采用了5项技术，将GaN功率和GaN射频晶体管，与硅PMOS的整合成一个片上系统，既可以实现高频操作，又可以实现高功率密度。而且该器件是基于12英寸硅晶圆，这在业界很少见，成本也非常有优势。
12英寸、3D堆叠 同时实现高频、高功率
6月13-19日，英特尔将在“VLSI 技术和电路研讨会”展示4项研究成果，其中将公布首款氮化镓稳压器的详细信息。
据介绍，这款稳压器采用了封装集成的低压GaN NMOS功率晶体管，其优值（FoM）比硅器件提高了5-10倍，搭配40nH电感器，可实现94.2%的峰值效率。
谈及开发该器件的初衷时，英特尔表示，他们希望开发一种器件，能够解决功率传输和射频前端难题，同时还要降低了器件成本。
这是因为在5G通信等未来需求中，传统的硅器件在高频、高功率射频功放方面性能不足，而GaAs HBT、GaAs HEMT和GaN HEMT又不适合用来制备高效功率电子器件，因为耗尽型GaAs HEMT和GaN HEMT是常开型器件，GaAs HBT是电流驱动，而不是场驱动。而混合使用这些器件，占用的PCB空间会比较大。
根据英特尔发布的论文，2020年5月他们首次在12英寸晶圆上实现了GaN和硅基CMOS的三维单片集成，而这次将要展示的稳压器是该技术的首次成果转化，因此非常值得期待。
根据论文，英特尔主要采用了5项关键技术，包括高κ技术、三维层转移、化学机械抛光、光刻技术和铜互连，前两项尤为关键。
首先，英特尔将GaN与12英寸晶圆厂中最先进的高κ介电金属栅极技术相结合，实现了增强模式操作和栅极堆叠微缩。
其次，英特尔运用了层转移的方法，以单片式将12英寸的硅基PMOS晶体管堆叠在12英寸的GaN NMOS晶体管之上。
最终，该器件可以同时实现低漏极泄漏和出色的导通电阻——在5V漏极电压下，IOFF低至100pA/μm，比肖特基栅极GaN HEMT低4个数量级以上，而导通电阻仅有610Ω-μm。
另外，它还具备出色的RF性能。在1-30GHz的频率范围内，Intel的高κ值增强模式GaN NMOS晶体管的性能明显优于GaAs和Si/SOI。
在3.5V到低至1V的电源电压范围内，该器件呈现出高功率附加效率，因此具备延长电池寿命和实现高效包络线跟踪RF功放的潜力。
与此同时，这种增强模式GaN晶体管技术还有另一个优点——那就是简化了电路架构。由于处于常闭状态，因此它不需要负电源，可以直接用电池供电驱动，从而节省了微芯片上宝贵的占位面积。
专利全球领先 超前投资氮化镓充电
其实，英特尔研发该器件并不是“心血来潮”，它在氮化镓领域有着很深的布局。
据Yole旗下KnowMade报告，英特尔、富士通和Macom在射频硅基氮化镓专利领域处于领先地位。
英特尔射频氮化镓专利全球前六
英特尔在全球都有专利布局，其中在美国和中国台湾分别有17项和20项专利正在申请中。而英特尔专利组合主要涉及用于SoC的III-N晶体管、RF开关、超短沟道长度、场板和III-N/ 硅单片集成电路。
此外，英特尔很早就看好氮化镓在功率器件中的应用。
2014 年 9 月，GaN功率器件企业Avogy获得4000万美元（约2.56亿人民币）B轮融资，该轮投资就是由英特尔领投。
Avogy是一家垂直氮化镓企业，它是最早开发氮化镓充电器的企业之一。2015年Avogy通过子公司Zolt发布了一款小巧的笔记本电脑氮化镓充电器，比传统的充电器小四倍，轻三倍，该创新还被选为2015年TiE50获奖者。
对于这笔投资，英特尔公司认为：“Avogy 的新技术可显著降低电源系统成本、尺寸和重量，这将使消费者受益，这对于各种英特尔平台（超极本、一体机和工作站）都有战略性意义。”
不过，2017年Avogy遇到了财务问题，该公司以20万美元的价格将其知识产权卖给了 NexGen。
