解析适用于 SiC 栅极驱动的 PCB 布局方法

 

在为任一高功率或高电压系统设计印刷电路板 (PCB) 布局时，栅极驱动电路特别容易受到寄生阻抗和信号的影响。对于碳化硅 (SiC) 栅极驱动，更需认真关注细节，因为其电压和电流的转换速率通常比硅快得多。遵循指定 PCB 设计指南，可以帮助减少这些常见隐患并消除实验室或现场故障。

 

SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比，由于 SiC 功率系统具有这些优势，因此能够在要求高功率密度的应用（如太阳能逆变器、储能系统 (ESS)、不间断电源 (UPS) 和电动汽车）中优化性能。但是，由于高电压转换速率 (dv/dt) 和电流转换速率 (di/dt) 是 SiC 功率器件的固有特性，使其与硅基电路相比，这些电路对串扰、误导通、寄生谐振和电磁干扰 (EMI) 更为敏感。(图 1)。

图 1. 高电压和电流转换速率所产生影响的概要
 

将功率 MOSFET 并联时，设计人员必须更密切地注意如何最大限度降低这些影响，因为器件之间的电流分配不均会影响性能。例如，在开关瞬变过程中，在并联中增加一个器件会使 di/dt 倍增，从而可能导致更大的电压过冲。此外，任何寄生电感都可能产生与反馈机制耦合的谐振，从而只会使电流不平衡的情况变得更糟。在这种情况下，PCB 设计人员必须特别注意要降低寄生电感。

 

首先，SiC MOSFET 具有理想的固有低寄生电容（CGD、CDS、CGS）。这种特性支持高开关频率，因此有助于实现高功率密度设计。但是，与这种好处如影随形的是，在布局中不可避免地容易受到寄生电感谐振影响的情况。寄生电感本身可存在于应用电路的栅极回路 (LGS) 和功率回路 (LDS) 以及共源极电感 (LCS) 之中。如之前所述，导致这些电感的因素包括走线长度很长，以及器件引线之间的电感。

 

栅极回路电感会增加栅极电压的振铃，这反过来又会增加导通延迟，并且在某些情况下，会导致 MOSFET 的漏极-源极电压发生振荡振铃。通常，应最大限度地减小栅极回路电感以避免 MOSFET 的误工作，但这种寄生电感的影响是三种主要寄生电感中最小的。

 

整个器件的过冲电压通常由功率回路电感（有时也称为开关回路电感）造成，而这会产生高开关损耗。共源极电感会在开关瞬变过程中产生对栅极驱动的电压反馈，抵消栅极电压的变化并减慢漏极电流，从而显著增加导通和关断时的开关损耗。[1]  此外，并联器件之间微小的寄生 LCS 不匹配情况也会在开关瞬变过程中造成电流不平衡，从而放大负栅电压反馈的影响。

 

设计 PCB 时，不可能完全消除所有寄生电感和电容。但是，一些常用技术可以帮助最大限度地减小这些电感和电容。

 

典型情况下，在单层 PCB 上布线的功率回路通常被称为“横向功率回路”。而第一个内层用作“屏蔽层”，以减少功率回路中高开关频率所产生的磁场的影响（图 2）。功率回路中的脉冲电流在屏蔽层内催生出电流和磁场，从而抵消功率回路中的电流和磁场。最终，由于有效地减小了功率回路和栅极驱动回路内包含的面积，这将降低寄生电感。

 

任一栅极回路电感都会与输入电容产生谐振，并产生栅极-源极电压振荡，从而导致漏极-源极电压振铃。将栅极驱动放置在紧邻 SiC MOSFET 的位置，以最小的走线长度将栅极回路电感降至最低。此外，这种做法还有助于使各并联 MOSFET 设计之间的共源极电感保持恒定。

 

最大程度地缩短高频率栅极回路和功率回路的周长，以减少电压过冲和可能由该过冲引起的任何 EMI，是十分关键的。这对于并联器件尤其重要，因为寄生电感本来就更高。如图 2 所示，用于并联 MOSFET 的对称栅极驱动路径可实现更均匀的电流分布。

图 2. 通过消除电流回路中的磁场并进行对称走线布局，以降低寄生电感的影响
 

与硅基电路相同，通过在栅极和源极之间放置去耦电容器，可以最大限度地减少由瞬态信号引起的栅极电压尖峰。该电容为栅极驱动电流提供一个低阻抗路径，从而减小 VGS 的升幅。但这会减慢栅极驱动信号，从而增加开关损耗。因此，应调整 CGS 的值以平衡损耗和瞬态抗扰度。

 

可以通过增加 RC 缓冲器或铁氧体磁珠等组件来实现有效的 EMI 抑制。沿（漏极和源极之间的）DC 总线连接的 RC 缓冲器将吸收漏极处的寄生振铃或电压过冲。在高频率下，与栅极串联放置的高电阻、低电感铁氧体磁珠，可有效抑制栅极处的寄生谐振。此寄生振荡由漏极-源极电压瞬变引起，该瞬变在栅极电路上生成电压，有可能会在栅极引脚处的电容和寄生电感（LC 谐振腔）之间引起谐振。铁氧体磁珠可抑制这种振荡，而不会对开关性能产生负面影响。

 

SiC 基功率电子器件的布局方法在许多方面类似于硅基电路。在这些布局操作中要格外小心，才能最终解决快速开关功率器件的各类问题挑战，使得设计人员能够在其功率应用中充分利用 SiC 的所有优点。

 

[1]. Z. Chen, D. Boroyevich and R. Burgos, "Experimental parametric study of the parasitic inductance influence on MOSFET switching characteristics," The 2010 International Power Electronics Conference - ECCE ASIA -, Sapporo, 2010, pp. 164-169, doi: 10.1109/IPEC.2010.5543851.