对芯片过热的说法提出质疑，吴汉明认为，过热原因是忽悠的人多，认真做芯片的人太少，全球化受阻，需要重视本土化和产能，至少做到增长率要高于全球，更要努力建设产业引领的科技文化，商业成功是检验技术创新的唯一标准。
吴汉明指出，摩尔定律是在1965年，英特尔创始人提出来，他说每年要把晶体管的密度加一倍，按照这个节奏他做了10年。而后来他“改口”了，他发现赚来的钱不够支撑研发。
1975年他提出两年把晶体管的密度加一倍，这样技术研发的费用可以从商业盈利中平衡掉。按照每年提升一倍的节奏太快，不可持续，而两年把集成电路晶体管的密度加一倍持续了近50年。
吴汉明表示，上世纪70年代，1个晶体管价值达1美元，现在1美元能买几百万个晶体管，也就是说，当今每个晶体管价格仅有当初的百万分之一。从2G时代的130nm发展到14nm、5nm，摩尔定律发展支撑了通信技术、AI发展。
到2015年，下面4条特征线接近瓶颈，难以继续提升，唯有晶体管密度继续沿着摩尔定律向上发展。但在2014年左右，大概28nm时，100万晶体管的价格为2.7美分，到20nm，这一价格增至2.9美分，单个晶体管价钱在往上涨，这就违背了摩尔定律的初衷——价格不变。
中国科学家许居衍在30年前就预测在2014-2017年左右，摩尔定律恐怕就走到头了，准确预测到我们在2014年也就是28纳米的时候摩尔定律就走不动了。
在谈到产业面临的挑战时，吴汉明表示，产业面临的主要挑战是这个产业链太长，而且太宽。既然产业链那么宽那么大，必然依赖于全球的流通，全球化的经济模式，才能把集成电路产业往前推。世界在半导体器件上的流通是非常大的。正是因为这种流通，使得集成电路才能沿着摩尔定律发展到当今欣欣向荣的状态。
吴汉明表示，2002年以前全球芯片每年性能提升52%左右，到2010年为23%，2010年为12%，最近几年差不多每年提升3%，随着发展速度不断下降，摩尔定律开始失效。
如今，芯片制造工艺正面临三大挑战，也蕴涵着三大创新方向。第一，基础挑战：精密图形。以光刻机为主要装备的工艺目前用193纳米波长形成20纳米、30纳米的图形，在物理原理上面临很大挑战。第二，核心挑战：新材料。芯片发展至今，仅靠尺寸缩小带来的性能提升非常有限，新材料成为重要突破方向，例如硅、铜等将32纳米性能提升70%。因此，新材料、新工艺是集成电路芯片制造的主旋律。第三，终级挑战：提升良率。工艺无论多么先进，良率如果太低就不算成功，因此提高良率也是重要方向。
“高性能计算、移动计算、自主感知是后摩尔时代三个主要产业驱动方向，业界可以围绕性能、功率、面积、成本进行创新。”吴汉明指出了后摩尔时代芯片发展趋势和驱动方向。
吴汉明表示，许居衍院士曾提出后摩尔时代有四类技术方向：“硅-冯”范式，通过改变结构形成新型器件，使得摩尔定律能够继续，瓶颈在于功耗和速度；类硅模式，通过TFET等延续摩尔定律；类脑模式，通过3D封装模拟神经元特性，具有存算一体、并行、低功耗等特点，是人工智能的主要途径；新兴范式，通过改变状态、采用新器件和新兴架构实现集成电路创新。
从产业角度来看，吴汉明表示，摩尔定律失效对于追赶者而言是个机会。事实上，在先进工艺创新难以为继时，厂商可以通过系统性能提升，在已有成熟工艺的基础上做出更多创新，提升芯片性能。
最后，吴汉明在总结时强调，全球化是不可替代的途径，企业国际化、外企本土化；芯片制造三大核心挑战包括图形转移、新材料&工艺、良率提升；后摩尔时代的产业技术发展趋缓，创新空间和追赶机会大；全球化受阻，需要重视本土化和产能，至少做到增长率要高于全球；要树立产业技术导向的科技文化，技术成果全靠市场鉴定；加速举国体制下的公共技术研发平台建设。
