突破碳化硅“卡脖子”技术！年产5000片中科汉韵SiC器件项目通线
日前，江苏中科汉韵半导体有限公司SiC功率器件项目通线仪式在开发区凤凰湾电子信息产业园举行。据报道，该项目的正式通线，对徐州市和开发区集成电路产业特别是第三代半导体产业发展具有重大的意义。
这标志着我国企业突破了碳化硅芯片设计和工艺制造国产化中的一系列重大“卡脖子”技术！
据了解，项目一期建设面积2.1万平方米，全面达产后，年产能将达到5000片碳化硅功率器件等分立半导体器件。
项目从设备进场到通线仅花费约六个月时间，对于设备，中科汉韵董事长袁述表示，设备从光刻机到薄膜，到刻蚀化学腐蚀离子注入等等，都是比较先进的。
据悉，中科汉韵二期项目计划2021年开始实施，全新配置6寸工艺线，或将成为国内首家规模化生产碳化硅MOSFET芯片和模块的企业。
SiC凭借高击穿场强、热稳定性、高电子饱和速度及禁带宽度等能够大大提高功率器件的性能表现。
碳化硅功率器件的主要优势
1、耐高温，耐高压。
理论上可承受600℃以上，是硅基功率器件的四倍；
2、优化器件尺寸和重量。
碳化硅器件拥有更高的热导率和功率密度，能够简化散热系统，从而实现器件的小型化和轻量化；
3、低损耗、高频率。
碳化硅器件的工作频率可达硅基器件的10倍，而且效率不随工作频率的升高而降低，可以降低近50%的能量损耗；同时因频率的提升减少了电感、变压器等外围组件体积，全面缩小系统体积，降低成本。
