中科汉韵SiC功率器件项目通线

日期:2021-05-25 来源:半导体产业网阅读:487
核心提示:中科汉韵是中科院微电子所碳化硅科技成果产业转化的成功典范。项目一期建筑面积2.1万平方米,建设年产5000片碳化硅功率器件生产线。
 5月24日上午,江苏中科汉韵半导体有限公司SiC功率器件项目通线仪式在开发区凤凰湾电子信息产业园举行。项目的正式通线,标志着我国企业突破了碳化硅芯片设计和工艺制造国产化中的一系列重大“卡脖子”技术,将为徐州市和开发区集成电路产业特别是第三代半导体产业发展注入新的强劲动能。
市委副书记、市长庄兆林,国家02专项总师、欧亚科学院院士叶甜春,中科院微电子所党委书记、副所长(主持工作)戴博伟,市人大常委会副主任、市总工会主席束志明,市政府秘书长周天文,开发区党工委书记李淑侠,开发区党工委副书记、管委会主任臧晓鹏,江苏中科汉韵半导体有限公司董事长袁述等出席活动。
 
中科汉韵是中科院微电子所碳化硅科技成果产业转化的成功典范。项目一期建筑面积2.1万平方米,建设年产5000片碳化硅功率器件生产线。中科汉韵是中国科学院微电子研究所和徐州共同投资的半导体芯片设计与制造(IDM)企业,专注于第三代半导体碳化硅MOSFET芯片。中国科学院微电子所经过多年研究与中科汉韵行业专家开发,取得了碳化硅MOSFET芯片结构设计核心技术和工艺制造核心技术。
 
中科汉韵团队包括中国科学院微电子研究所的行业专家和多位国内外半导体领域博士,他们拥有多年大型芯片制造企业工作经验,为批量产品稳定性和重复性提供了技术支持。中科汉韵将致力于高质量碳化硅功率器件国产化,为客户提供高性能的SiC功率器件, 打造成为国内一线、世界前沿的SiC器件企业。
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