高压SiC MOSFET器件是中国电科四大重点业务板块之一——“产业基础”板块中的重要组成部分。中国电科55所李士颜和团队一起填补了我国在该领域多项技术空白，为超高压SiC器件在装备应用提供了技术支撑。
研发过程中，没有充足的可借鉴研究文献，遇到困难的李士颜并没有坐以待毙，通过采用多套技术方案相互迭代验证的途径，经历了多次“失败，改进，再失败，再改进”的过程，最终，实现了高效、高稳定性的高压终端保护技术攻关。2021年，他作为技术骨干参与的“SiC MOSFET电力电子器件”入选国资委十大国有企业数字技术成果。
李士颜从团队的融入者转变为领头人用了5年时间，在入职之初，他扎根生产一线，接触了具有丰富工艺经验的前辈和老师傅，加深了对器件工艺技术的理解，迅速熟悉了工艺流程；他虚心请教支部有丰富研发经验的党员领导和同事，在方案制定，难点攻关上得到了指导，迅速积累在该领域的研发经验；在第三代半导体国创中心筹建中，他和团队克服了周期紧、任务重的困难，完成了建设方案、技术方案、设备方案的系统调研和实施方案设计，保障了筹建任务节点。
他所负责的高压电力电子器件，在先进装备、轨道交通、智能电网等领域具有广泛的应用前景。国产SiC MOSFET器件领域的技术进步离不开勇攀高峰、敢为人先的创新精神，他有信心、也有能力为实现科技自立自强贡献自己的青春力量。
原标题：《李士颜：第三代半导体碳化硅高压领域的前行者 | 学党史·好榜样》
