半导体产业网：2021年5月18日凌晨突闻噩耗，国际著名电力电子专家，电磁模型和电力电子变换器设计方面的开拓者之一，荷兰代尔夫特理工大学Braham Ferreira教授因病逝世，享年63岁。他是第三代半导体产业技术创新战略联盟（简称“联盟”）的老朋友，任联盟国际咨询委员会专家，担任过国际第三代半导体论坛（IFWS）大会主席，多次出席论坛并分享过大会报告。
图为：2019年11月27日，Braham Ferreira教授出席第十六届中国国际半导体照明论坛暨2019国际第三代半导体论坛分享“宽禁带功率半导体国际技术路线图”
Ferreira教授是IEEE Fellow，IEEE电力电子协会前主席，曾担任IEEE国际宽禁带半导体技术路线图委员会(ITRW) 主席, 欧洲电力电子中心（ECPE）顾问，荷兰代尔夫特理工大学教授，荷兰屯特大学电力电子首席教授，荷兰代尔夫特理工大学北京研究院院长，浙江大学客座教授。Ferreira教授是电力电子领域的国际著名专家，是电磁模型和电力电子变换器设计方面的开拓者之一，他开拓性地将Poynting矢量应用于电磁模型研究中，首次揭示了临近效应和集肤效应之间存在的正交性，提出了一种通用方法获得线圈中交流阻抗的解析解，该方法是高频电磁分析和设计的基础之一，磁性元件交流损耗计算公式以他名字命名。
他揭示了SiC功率器件电磁干扰产生的机理，提出通过电路布线和静噪滤波器来抑制干扰的设计方法。他提出的M3C变换器对业界影响深远。Ferreira教授获得多项国际学术大奖，包括南非杰出科学成果勋章、2021 IEEE 电力电子协会 Harry A. Owen, Jr. Distinguished Service Award杰出贡献奖、IEEE 工业应用协会的“ IAS 杰出贡献奖”、“Gerald Kliman Innovator”、欧洲电力电子中心的“Innovations in Passive Components for Power Electronics Applications”等奖项，15次获得最佳论文奖。发表过500余篇论文，其中SCI论文100多篇。他在担任IEEE电力电子协会（PELS）主席期间领导规划了宽禁带半导体(ITRW)的国际技术路线图，加速从硅基功率半导体到碳化硅(SiC)和氮化镓的转变。
Ferreira教授对中欧半导体合作作出了卓越贡献。他是第三代半导体产业技术创新战略联盟（简称“联盟”）的老朋友，自2016年起20余次到访联盟；2018年5月起，受聘为第三代半导体产业技术创新战略联盟国际咨询委员会专家，与联盟共同组织第三代半导体技术路线图的制定，牵头成立代尔夫特大学北京研究院，担任过国际第三代半导体论坛（IFWS）的大会主席，多次出席联盟各种论坛并分享报告。2019年11月，Ferreira教授在联盟举办的“国际第三代半导体研修培训”上为近百名研发/科研人员做了“第三代半导体在电力电子系统应用中的机遇与挑战”的专题培训。在2019年IFWS大会期间，他作为IEEE国际宽禁带半导体技术路线图（ITRW）委员会主席为国内同行分享国际宽禁带半导体技术路线图的编制情况以及对第三代半导体应用在短、中、长期不同阶段的指导性建议。
Ferreira教授思维深邃、学识渊博、治学严谨，为人低调，和蔼可亲、淡泊名利，在学术领域声名赫赫，着作等身，为宽禁带功率半导体与高功率密度电力电子技术发展做出了卓越贡献。在国内招收博士生，他悉心教导了10名中国籍博士和近30名中国籍硕士。特别是，自2017年起，他与联盟、国内研究机构共同培养国际合作博士生，专门培养第三代半导体领域的中国籍人才。
在抗癌期间，他仍然坚持定期与联合培养的博士生召开科研讨论会。直至去世的前一天，还在为国内博士生制定研究计划。
斯人已逝，风范长存！Ferreira教授，您一路走好！
