氮化镓被誉为最新一代的半导体材料，发展和应用的潜力巨大。氮化镓比硅禁带宽度大3倍，击穿场强高10倍，饱和电子迁移速度大3倍，热导率高2倍。这些性能提升带来的一些优势就是氮化镓比硅更适合做大功率高频的功率器件，同时体积还更小，功率密度还更大。
近日，2021功率半导体与车用LED技术创新应用论坛在上海举行。本届论坛由半导体产业网和励展博览集团共同主办，并得到第三代半导体产业技术创新战略联盟、国家半导体照明工程研发及产业联盟的指导。
会上，苏州晶湛半导体科技有限公司的市场经理陈宇超带来了“应用于功率器件的硅基GaN外延片进展”的主题报告，结合具体的数据分享了650V应用的D模和E模硅基GaN外延片的进展，并介绍了面向更高电压/电流应用的多通道器件研究进展。
GaN具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高的电子迁移率的特点，器件具有给定电压额定值下的低通状态电阻、紧凑型高压装置、快速高效切换、低功耗、高工作温度等优势。
随着宽禁带器件在电动车市场的机会大增，GaN在EV领域有新契机，具有解决整个高压汽车频谱的潜力。
GaN在高压应用中相比SiC、IGBT、SiSJ在效率、开关频率等维度具有自己的优势。
苏州晶湛半导体是我国最早的氮化镓(GaN)外延材料研发和产业化企业，在2014年实现了8英寸硅基氮化镓外延片产品的商业化，填补了国内乃至世界氮化镓产业的空白。目前苏州晶湛已经掌握了多项氮化镓外延片核心技术。累计申请了百余项专利。
报告中，结合具体的数据，陈宇超详细分享了晶湛半导体的高压、大电流路线图，以及硅上1300伏常关p-GaN栅HEMTs，硅侧SBD上的3.4kV GaN等内容。
