以GaN、SiC为代表的第三代半导体材料由于具备禁带宽度大、临界电场高、电子饱和速率高等优势，被广泛应用到功率半导体器件、日盲紫外探测器、深紫外发光等电子器件和光电器件领域。而各类半导体器件结构设计和性能指标的提升必须以器件内部半导体物理机制为依托和指导。而半导体器件仿真技术能有效突破器件实验表象，可视化器件内部最根本的物理机质，加深对半导体器件物理的理解，助力于半导体器件架构的优化和制备，是现代先进半导体器件研发和制备的必备手段。
近日，2021功率半导体与车用LED技术创新应用论坛在上海举行。本届论坛由半导体产业网和励展博览集团共同主办，并得到第三代半导体产业技术创新战略联盟、国家半导体照明工程研发及产业联盟的指导。
会上，天津赛米卡尔科技有限公司创始人，河北工业大学张紫辉教授带来了“半导体仿真技术在第三代半导体器件中的应用”的精彩报告，围绕深紫外发光二极管(DUV LED)、MicroLED、日盲紫外探测器、肖特基功率二极管(SBD)、垂直腔面发射激光器(VCSEL)，详细阐述半导体器件仿真技术在半导体器件设计和制备过程中的关键作用，同时深入探讨影响各类半导体器件性能指标的关键因素，并提出优化设计方案。
报告中详细分享了AlGaN深紫外发光二极管器件物理与器件仿真、GaN基垂直腔面发射激光二极管器件物理与仿真、GaN基肖特基功率二极管器件物理与仿真、SiC与GaN日盲紫外探测器器件物理与仿真、MicroLED器件物理与仿真等研究成果与进展。
