半导体芯片设备龙头中微公司16日宣布新一代电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备Primo Twin-StarR已交付客户投入生产。和国内外同类设备相比，这一刻蚀设备能以更小的占地面积、更低的生产成本和更高的输出效率，为逻辑芯片和存储芯片等应用提供高性价比的刻蚀解决方案。
光刻机、刻蚀机和MOCVD（金属有机化合物化学气相沉积）设备被并称为半导体工艺三大关键设备。目前我国在刻蚀机和MOCVD设备领域已跻身国际先进水平，并在全球市场占有一席之地。
其中，中微公司开发的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国际一线客户从65纳米到5纳米工艺的众多刻蚀应用。同时，中微公司开发的用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD（金属有机化合物化学气相沉积）设备已在客户生产线上投入量产，并在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场占据领先地位。
本次中微公司发布的Primo Twin-StarR创新使用双反应台腔体设计和低电容耦合3D线圈设计，创新的反应腔设计可最大程度减弱非中心对称抽气口效应，通过采用多区温控静电吸盘（ESC）增强了对关键尺寸均匀性和重复性的控制。
与其他同类设备相比，新产品以更小的占地面积、更低的生产成本和更高的输出效率，进行ICP适用的逻辑和存储芯片的介质和导体的各种刻蚀应用，并用于功率器件和CMOS图像传感器（CIS）的刻蚀应用。
