IEEE ISSCC国际固态电路大会上，三星(确切地说是Samsung Foundry)又首次展示了采用3nm工艺制造的芯片，是一颗256Mb(32MB)容量的SRAM存储芯片，这也是新工艺落地传统的第一步。
在三星路线图上，14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工艺节点，其他则是升级改善型，包括11/8/6/5/4nm等等。
三星将在3nm工艺上第一次应用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术，再次实现了晶体管结构的突破，比现在的FinFET立体晶体管又是一大飞跃。
GAAFET技术又分为两种类型，一是常规GAAFET，使用纳米线(nanowire)作为晶体管的鳍(fin)，二是MBCFET(多桥通道场效应晶体管)，使用的鳍更厚更宽一些，称之为纳米片(nanosheet)。
三星的第一颗3nm SRAM芯片用的就是MBCFET，容量256Mb，面积56平方毫米，最令三星骄傲的就是超低功耗，写入电压只需要区区0.23V，这要感谢MBCFET的多种省电技术。
按照三星的说法，3GAE工艺相比于其7LPP，可将晶体管密度增加最多80％，性能提升最多30％，或者功耗降低最多50％。
或许，这可以让三星更好地控制芯片功耗、发热，避免再出现所谓的“翻车”。
三星3nm预计明年投入量产，但尚未公布任何客户。
台积电方面，3nm继续使用FinFET技术，号称相比于5nm晶体管密度增加70％，性能可提升11％，或者功耗可降低27％，预计今年晚些时候投入试产，明年量产，客户包括除了苹果、AMD、NVIDIA、联发科、赛灵思、博通、高通等，甚至据说Intel也会用。
